NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Number
۴۴۹۲پ
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
per
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
طراحی آشکار ساز نور UV با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدSiO۲، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی
First Statement of Responsibility
/محمد مهدی عباسی
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
تبریز : دانشگاه تبریز ، دانشکده مهندسی فناوری های نوین، نانو الکترونیک
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۲۲ص
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
نانو الکترونیک
Date of degree
۱۳۹۱/۰۴/۲۹
Body granting the degree
تبریز : دانشگاه تبریز ، دانشکده مهندسی فناوری های نوین، نانو الکترونیک
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
برای اولین بار، در این پایان‌نامه، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق نانو ذرات سیلیکون، در لایه اکسید از ساختار فلز- اکسید نیمه هادی، شبیه‌سازی شده است .ناحیه‌ی فعال این آشکارساز یک ساختار تونلی رزونانسی بر مبنای نقاط کوانتومی کروی سیلیکون می‌صباشد .ساختار چند لایه‌ی رزونانس تونلی، به صورت آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه اکسید در ساختار فلز اکسید نیمه هادی می باشد .در این پایان نامه تونل زنی حامل ها از درون آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه ی اکسید به صورت کامل بررسی شده و ضریب جذب بین باندی در نقاط کوانتومی سیلیکون، به صورت تابعی از انرژی فوتون تابشی، شبیه سازی شده است .برای اولین بار در این آشکارساز از ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی برای آشکارسازی نور فرابنفش استفاده شده است .از روش ماتریس انتقال دو بعدی برای بدست آوردن رسانایی و جریان تونل زنی در این ساختار استفاده شده است .اثر ناراستی مرکزی و اندازه آن، روی منحنی رسانایی در بایاس صفر به صورت کامل بررسی شده است
Text of Note
For the first time, in the present thesis, we have investigated, theoretically, design of Ultraviolet detector by inserting Si nanocrystals in oxcide layer of metal- oxcid- semiconductor array.The detector active region of a tunneling - resonant structure based on silicon spherical quantum dots. Multi-layered structure is of resonant tunneling, as an array of silicon spherical quantum dots has placed in silicon oxide layer on the metal- oxide-semiconductor.In this thesis, the carrier tunneling through an array of silicon quantum dots in silicon oxide layer have been investigated to form a complete review. Inter-band absorption coefficient in this structure as a function of incident photon energy has simulated. For the first time the metal-oxide-semiconductor has been used in the detector.Two-dimensional transfer matrix method, to obtain the conductivity and the tunneling current in this structure has been used. Shape and size of the central defect, on the conductivity curve at zero bias has been fully investigated
TOPICAL NAME USED AS SUBJECT
Quantum well
Semiconductor
Detectivity
Abbsorption
Coefficient
Quantum dots
Tunneling current
Silicon Nanocrystals
Metal
Oxcid
PERSONAL NAME - PRIMARY RESPONSIBILITY
عباسی، محمد مهدی
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
رستمی، علی، استاد راهنما
عباسیان، کریم، استاد راهنما
کیانی، غلامرضا، استاد مشاور
رسولی، حسن، استاد مشاور
ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS
Public note
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
