۴۴۹۲پ
per
طراحی آشکار ساز نور UV با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدSiO۲، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی
/محمد مهدی عباسی
تبریز : دانشگاه تبریز ، دانشکده مهندسی فناوری های نوین، نانو الکترونیک
۱۲۲ص
چاپی
کارشناسی ارشد
نانو الکترونیک
۱۳۹۱/۰۴/۲۹
تبریز : دانشگاه تبریز ، دانشکده مهندسی فناوری های نوین، نانو الکترونیک
برای اولین بار، در این پایان‌نامه، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق نانو ذرات سیلیکون، در لایه اکسید از ساختار فلز- اکسید نیمه هادی، شبیه‌سازی شده است .ناحیه‌ی فعال این آشکارساز یک ساختار تونلی رزونانسی بر مبنای نقاط کوانتومی کروی سیلیکون می‌صباشد .ساختار چند لایه‌ی رزونانس تونلی، به صورت آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه اکسید در ساختار فلز اکسید نیمه هادی می باشد .در این پایان نامه تونل زنی حامل ها از درون آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه ی اکسید به صورت کامل بررسی شده و ضریب جذب بین باندی در نقاط کوانتومی سیلیکون، به صورت تابعی از انرژی فوتون تابشی، شبیه سازی شده است .برای اولین بار در این آشکارساز از ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی برای آشکارسازی نور فرابنفش استفاده شده است .از روش ماتریس انتقال دو بعدی برای بدست آوردن رسانایی و جریان تونل زنی در این ساختار استفاده شده است .اثر ناراستی مرکزی و اندازه آن، روی منحنی رسانایی در بایاس صفر به صورت کامل بررسی شده است
For the first time, in the present thesis, we have investigated, theoretically, design of Ultraviolet detector by inserting Si nanocrystals in oxcide layer of metal- oxcid- semiconductor array.The detector active region of a tunneling - resonant structure based on silicon spherical quantum dots. Multi-layered structure is of resonant tunneling, as an array of silicon spherical quantum dots has placed in silicon oxide layer on the metal- oxide-semiconductor.In this thesis, the carrier tunneling through an array of silicon quantum dots in silicon oxide layer have been investigated to form a complete review. Inter-band absorption coefficient in this structure as a function of incident photon energy has simulated. For the first time the metal-oxide-semiconductor has been used in the detector.Two-dimensional transfer matrix method, to obtain the conductivity and the tunneling current in this structure has been used. Shape and size of the central defect, on the conductivity curve at zero bias has been fully investigated
Quantum well
Semiconductor
Detectivity
Abbsorption
Coefficient
Quantum dots
Tunneling current
Silicon Nanocrystals
Metal
Oxcid
عباسی، محمد مهدی
رستمی، علی، استاد راهنما
عباسیان، کریم، استاد راهنما
کیانی، غلامرضا، استاد مشاور
رسولی، حسن، استاد مشاور
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
