عرض القائمة
الرئیسیة
البحث المتقدم
قائمة المکتبات
إختر اللغة
فارسی
English
العربی
عنوان
Ferroelectric thin films. basic properties and device physics for memory applications
پدید آورنده
Masanori Okuyama, Yoshihiro Ishibashi )eds.(
موضوع
، Thin films,، Ferroelectricity
رده
TA
418
.
9
.
T45
F465
2005
کتابخانه
کتابخانه مرکز پژوهش متالورژی رازی
محل استقرار
استان:
طهران
ـ شهر:
طهران
تماس با کتابخانه :
46831570
-
021
3117
Ferroelectric thin films. basic properties and device physics for memory applications
Berlin ; New York
Springer,
2005
xiii, 244 p. ill. 24 cm.
Topics in applied physics ;v. 89.
ISBN: 3540241639
Includes bibliographical references and index.
ng
Publisher description http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0663/2004117860-d.html
Table of contents only http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0823/2004117860-t.html
Masanori Okuyama, Yoshihiro Ishibashi )eds.(
، Thin films
، Ferroelectricity
box1
TA
418
.
9
.
T45
F465
2005
TI
AU Okuyama, Masanori,1946-
AU Ishibashi, Yoshihiro.
1
الاقتراح / اعلان الخلل
×
الاقتراح / اعلان الخلل
×
تحذیر!
دقق في تسجیل المعلومات
اعلان الخلل
اقتراح