عنوان

اثر میدان الکتریکی بر ویژگی‌های فیزیکی ناخالصی در یک نقطه کوانتومی کروی شکل

شماره

‭۱۳۵۴۵پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

اثر میدان الکتریکی بر ویژگی‌های فیزیکی ناخالصی در یک نقطه کوانتومی کروی شکل

نام نخستين پديدآور

/ناهید عجبشیری

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: فیزیک

تاریخ نشرو بخش و غیره

، ‮‭۱۳۹۴‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

فیزیک حالت جامد

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۹۴/۰۶/۲۵‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز

متن يادداشت

پیشرفت‌صهای روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم-رسانای کم‌صبعد و نیز ویژگی‌صهای منحصرصبه‌صفرد این ساختارصها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت‌صهای بالا از جمله لیزرصهای مادون قرمز، تقویت‌صکننده‌صها و آشکارسازصهای فوتونی شده‌صاست .در این میان ساختارصهای نقطه‌صکوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملا گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می‌صباشند، علاوه بر این حضور حالت‌صهای ناخالصی هیدروژن‌صگونه‌صی محبوس شده در ابزارصهای نیم‌صرسانا ویژگی‌صهای فیزیکی این ساختارصها را به طور چشم‌صگیری تغییر می‌صدهد .در این پایان‌صنامه ویژگی‌صهای فیزیکی ناخالصی در نقطه کوانتومی کروی شکل در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش قطری‌صسازی ماتریس هامیلتونی در تقریب جرم مؤثر مورد بررسی واقع شده صاست .اثر میدان الکتریکی روی ترازصهای انرژی ناخالصی، انرژی بستگی و انرژی گذار صمورد بررسی قرار گرفت، در ضمن انرژی حالت پایه و انرژی بستگی ناخالصی از نوع گاوسی در غیاب میدان الکتریکی مورد توجه قرار گرفت .نتایج بدست آمده حاکی از آن است که انرژی ناخالصی در غیاب میدان الکتریکی با افزایش انرژی محبوسیت و در نتیجه کاهش اندازه نقطه کوانتومی، افزایش می‌یابد .همچنین انرژی حالت پایه و اولین حالت برانگیخته ناخالصی با افزایش شدت میدان الکتریکی کاهش می‌یابد، در نتیجه انرژی گذار از حالت پایه به اولین حالت برانگیخته کاهش می‌یابد .با توجه به نتایج بدست آمده انرژی بستگی حالت پایه ناخالصی با افزایش شدت میدان الکتریکی به طور یکنواخت کاهش می‌یابد ولی برای اولین حالت برانگیخته با افزایش میدان الکتریکی روند افزایشی پیدا می‌کند .برای ناخالصی از نوع گاوسی نیز انرژی حالت پایه و انرژی بستگی با افزایش مقدار گسترش فضایی پتانسیل ناخالصی و شدت پتانسیل افزایش می‌یابد

متن يادداشت

Due to breakthough in fabrication technology of low dimensional semiconductors as well as their unique properties, these structurs have become apart of new generation of high speed electro- optical devices such as far- infrared laser, amplifiers and photo- detectors. Specially quantum dot semiconductor are promising candidates in fundamental studies because of three dimentional confinement and completely discrete electronic states. In additional confined hydrogenic impurities in semiconductor devices substantially modify the physical properties of these structures. In this thesis, the physical properties of spherical shape QD in presence of electric field by diagonalizing the Hamiltonian matrix in effective mass approximation is studied. Then the effect of the electric field on the hydrogen- like impurity energy and binding energy and transition energy level have been investigated. Studied the ground state energy and binding energy of impurity with Gaussian potential in the absence of the electric field. The results show that, with increasing confinement energy is equivalent reduce the size of the quantum dot, the ground state energy and thefirst excited state energy increases. With increasing the intensity of the electric field, the ground state and first excited state energy of impurity decreases. As a result transition energy from the ground state to the first excited state decreases. According to the results the binding energy of the ground state decrease monotonously with the intencity of the applied electric field increasing. However the binding energy of the first excited state increase with the intencity of the applied electric field increasing. With increasing the width of the impurity potential and the potential strength, the ground state energy and binding energy of impurity with Gaussian potential increase

مستند نام اشخاص تاييد نشده

عجبشیری، ناهید

مستند نام اشخاص تاييد نشده

سلطانی، علی، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

کلافی، منوچهر، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

بروستانی، جمال، استاد مشاور

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی