عنوان

بهینه سازی ساختارهای دیودهای نور گسیل رنگ سفید مبتنی بر نقاط کوانتومی

شماره

‭۱۲۷۸۶پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

بهینه سازی ساختارهای دیودهای نور گسیل رنگ سفید مبتنی بر نقاط کوانتومی

نام نخستين پديدآور

/سیدجعفر ربانی شبستری

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: دانشکده مهندسی فناوریهای نوین

نام خاص و کميت اثر

‮‭۱۱۶‬ص‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

در رشته مهندسی نانوفناوری گرایش نانو الکترونیک

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۹۲/۱۱/۲۵‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

دانشگاه تبریز

متن يادداشت

در این پروژه ساختار دیود نور گسیل رنگ سفید مبتنی بر چاه‌های کوانتومی و نقاط کوانتومی را مورد مطالعه قرار دادیم .در مرحله اول ساختار دیود نور گسیل رنگ سفید با استفاده از چندین چاه کوانتومی با ناحیه فعال متشکل از لایه‌های‮‭xN - InxGa۱‬با ‮‭x‬ و عرض‌های مختلف، که به‌عنوان چاه‌های کوانتومی گسیل کننده طول‌موج‌های قرمز، سبز و آبی و ‮‭GaN‬ به‌عنوان سد می‌باشد، با استفاده از روش‮‭۶k.p - ۶‬و با در نظر گرفتن میدان پلاریزاسیون ناشی از قطبش خودبه‌خودی و پیزوالکتریک، حل خود سازگار معادله شرودینگر-پواسن شبیه سازی شده و از نتایج حاصل از این شبیه سازی، مقادیر ویژه انرژی همچنین توابع موج برای الکترون و حفره به‌دست آمد .سپس با بررسی عناصر ماتریس انتقال بین‌باندی، شدت خروجی با توجه به انتقالات بین‌باندی با بالاترین احتمال گسیل بین دو سطح انرژی محاسبه شده است و در نهایت با افزایش دما از ‮‭۲۵۰‬ تا ‮‭۳۵۰‬ درجه کلوین منجر به پهن شدگی همگن و کاهش شدت نور خروجی شده است .نور خروجی تقریبا در محدوده نور سفید باقی می‌صماند .در مرحله دوم ساختار دیود نور گسیل رنگ سفید مبتنی بر چندین نقاط کوانتومی با ناحیه فعال متشکل از سه لایه نقاط کوانتومی برای تولید طول‌موج‌های قرمز، سبز و آبی و به شکل هرم سربریده و ماده‮‭xN - InxGa۱‬به‌عنوان نقطه کوانتومی و ‮‭GaN‬ به‌عنوان سد مورد مطالعه و شبیه سازی قرار دادیم .با استفاده از روش تقریب جرم موثر و در نظر گرفتن میدان پلاریزاسیون ناشی از قطبش خودبه‌خودی و پیزوالکتریک، سپس حل معادله شرودینگر و پواسن به صورت خودسازگار، مقادیر ویژه انرژی همچنین توابع موج برای الکترون و حفره به‌دست آمد .با بررسی عناصر ماتریس انتقال بین‌باندی، شدت خروجی با توجه به انتقالات بین‌باندی با بالاترین احتمال گسیل بین دو سطح انرژی محاسبه شد .با افزایش دما از ‮‭۱۰۰‬ درجه کلوین تا ‮‭۴۰۰‬ درجه کلوین، باعث پهن شدگی همگن طیف خروجی و کاهش شدت نور خروجی می‌صشود .نور خروجی تقریبا در محدوده نور سفید باقی می‌صماند .در نهایت با تغییر اندازه نقاط کوانتومی از ‮‭۵/۶‬ تا ‮‭۵/۱۳‬ نانومتر با مرکزیت ‮‭۱۰‬ نانومتر برای لایه‌های گسیل کننده طول‌موج‌های قرمز، سبز و آبی پهن شدگی غیر همگن مورد بررسی قرار گرفت

متن يادداشت

‮‭consistent Schr-In this project, we studied the White Light Emitting Diode (WLED) based on quantum wells and quantum dots. In the first stage, the WLED structure is simulated via the self‬ن‮‭consistent Schr-xN material as quantum point and GaN used as barrier was studied and simulated. Utilizing the effective mass approximation method and by considering the polarization field resulting from automatic and piezoelectric polarization, followed by the self-pyramid and InxGa۱-۶k.p method by considering the polarization field resulting from automatic and piezoelectric polarizations. Simulation results present specific energy values and wave functions for electron and hole. Then, by examining elements of the interband transmission matrix, output intensity is calculated considering interband transmissions with highest emission probability between two energy levels; and finally, increasing temperature from ۲۵۰ K to ۳۵۰ K, resulted in homogenous broadening and output light intensity reduction. Output light has almost remained within the white light region. In the second stage, the WLED based on multiple quantum dots comprising three levels quantum dots for producing RGB wavelengths in form of truncated-xN layers with different x and widths, which are used as RGB emitting quantum wells, and GaN used as barrier. This process is carried out using the ۶-Poisson equation using multiple quantum wells with an active region comprising InxGa۱-dinger‬ن‮‭Poisson equation, specific energy values and wave functions for electron and hole were obtained. By examining elements of the interband transmission matrix, output intensity is calculated considering interband transmissions with highest emission probability between two energy levels; increasing temperature from ۱۰۰ K to ۴۰۰ K resulted in homogenous broadening and output light intensity reduction. Output light has almost remained within the white light region. Finally, inhomogenous broadening was examined by modifying the size of quantum dots from ۶.۵ to ۱۳.۵ nanometers with the centrality of ۱۰ nanometers for RGB emitting layers -dinger‬

مستند نام اشخاص تاييد نشده

ربانی شبستری، سیدجعفر

مستند نام اشخاص تاييد نشده

گل محمدی هریس، سعید، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

کیانی، غلامرضا، استاد مشاور

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی