عنوان

شبیه سازی وطراحی تقویت کننده نوری با سیلیکون نانو کریستال و ‮‭Er‬اضافه شده به فیبر

شماره

‭۲۶۲۲پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

شبیه سازی وطراحی تقویت کننده نوری با سیلیکون نانو کریستال و ‮‭Er‬اضافه شده به فیبر

نام نخستين پديدآور

/احمد سلمان اوغلی خیاوی

نام ناشر، پخش کننده و غيره

تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده برق، الکترونیک

نام خاص و کميت اثر

‮‭۱۲۳‬ص‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

برق، الکترونیک

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۸۶/۰۴/۲۴‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده برق، الکترونیک

متن يادداشت

در این پروژه جزئیات مربوط به تقویت کننده های‮‭EDFA‬ و‮‭Nc and Er doped fiber amplifier -Si‬به طور کامل بررسی می شود.در این شبیه سازی برای سیلیکون نانو کریستال ‮‭۳‬ تراز و برای ‮‭,Er ۵‬ تراز در نظر می گیریم .رنج کاری برای غلظت ‮‭Er‬ استفاده شده در بازه ( ) تعداد بر سانتی متر مکعب و برای پمپ در بازه ( ) فوتون بر سانتی مترمربع در ثانیه است .با نوشتن معادلات نرخ برای سیلیکون نانو کریستال و ‮‭Er‬ می توانیم حالت های گذرا وماندگار را بررسی کنیم .در این پروژه ما ابتدا تقویت کننده ‮‭EDFA‬ را بررسی کردیم و اثر تغییرات غلظت ‮‭Er‬ وپمپ را روی پارامترهای مختلف بررسی کردیم و مشاهده کردیم که برای بدست آوردن بهره بالا احتیاج به غلظت ‮‭Er‬ بالای هست .در مرحله دوم تقویت کننده‮‭Nc and Er doped fiber amplifier - Si‬شبیه سازی شده است که در این مرحله اثراضافه شدن سیلیکون نانو کریستال به فیبر بحث می شود .در این قسمت همچنین اثر تلفات معرفی شده از طرف سیلیکون نانو کریستال روی پارامترهای تقویت کننده نوری از جمله بهره و بی نظمی در تراز اول بررسی می شود و نیز اثر) تعداد اکسیتون در داخل هر سیلیکون نانو کریستال( در این پروژه در نظر گرفته شده است .در پایان اثر توزیع غیر همگن ‮‭Er‬ و سیلیکون نانو کریستال روی پارامترهای مختلف تقویت کننده نوری بررسی می شود .در این پروژه ماکزیمم طول برای بدست آوردن‮‭۴۰‬ دسی بل بهره کوچکتر از ‮‭۵‬ سانتی متر بدست آمده است

متن يادداشت

Abstract: In this project the details of Erbium doped Fiber Amplifier (EDFA) in presence of Silicon nanocrystal (Si-Nc) is investigated. In this analysis Si-Nc and Er ions in matrix of fiber are assumed two and five levels respectively. For this structure rate equation for transient and steady state analysis is considered. The range of concentration and pump intensity at 488 nm are considered and respectively in this project. Based on numerical simulation of this problem we observed that with increasing of concentration of the Si-Nc the fiber length for given optical gain is decreased. For example in the case of optical gain, we calculated fiber length to be without Si-Nc and for (confined carrier absorption cross-section) and for respectively. Our simulations show that for second level with increasing pump intensity the population rise and fall times are decreased. But, for third level the population rise time is decreased and fall time is depends to level of Er ion interactions. We observed that with increasing Er ions optical net gain is increased and finally has a maximum. After this special value of Er ions because of increasing in interaction between ions the net gain finally begin to decrease. In this analysis we let to Er ions have inhomogeneous distribution. Also, we observed that in this case with increasing of the distribution peak, the net gain is increased, interaction between ions is increased, the coupling coefficient to the Si-Ncs is increased and losses due to Si-Ncs are decreased. Finally effect of (maximum number of exciton in single Si-Nc) on amplification process is considered and we observed that in the case of the optical gain considerably and introduced losses due to Si-Nc are increased and finally we considered the effect of inhomogeneous distribution on the optical properties in the Si-Nc EDFA amplifier.

مستند نام اشخاص تاييد نشده

سلمان اوغلی خیاوی، احمد

مستند نام اشخاص تاييد نشده

رستمی،علی، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

دایی کوزه کنان، ضیاالدین، استاد راهنما

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی