اخیرا با اعمال کشش در گرافین و ایجاد تغییراتی در ساختار نواری آن، کارآیی نوینی از آن در صنعت الکترونیک به وجود آمده است .کشش منجر به تغییر طول پیوندها، تغییردامنه ی انرژی پرش بین اتم های کربن و ایجاد تغییر در بردارهای شبکه می شود .این تغییرها منجر به ایجاد تغییر در ساختار نواری گرافین می شود .بنابراین کشش می تواند خواص الکترونیکی گرافین از جمله رسانایی آن را تغییر دهد .جریانی را که در یک نانو ساختار، به واسطه ی تغییر متناوب خصوصیات فیزیکی سیستم و در غیاب هرگونه اختلاف پتانسیل اعمالی ایجاد می شود، جریان پمپی می نامند .برای ایجاد جریان پمپی در یک سیستم، حداقل باید دو مورد از پارامترهای سیستم مانند پتانسیل الکتروستاتیکی و میدان مغناطیسی به صورت متناوب و غیر هم فاز نوسان یابند .جریان ایجاد شده متناسب با فرکانس نوسانات می باشد .در این پایان نامه اثر کشش بر روی جریان پمپی و رسانایی یک پمپ مبتنی بر گرافین را بررسی می کنیم .با اعمال دو پتانسیل الکترواستاتیک توسط الکترودهایی که پتانسیل آنها به صورت متناوب و غیر هم فاز نوسان می کنند و با ایجاد کشش تک محور و با اعمال میدان مغناطیسی بر روی دو نیمهصی لایهصی گرافین، رفتار جریان پمپی ایجاد شده را بررسی می کنیم .با استفاده از فرمول بروور برای محاسبه ی جریان پمپی بیصدررو که مبتنی بر روش پراکندگی است، رفتار جریان پمپی را به عنوان تابعی از غلظت حاملین بار مورد بررسی قرار می دهیم .نتایج حاصل از این بررسی نشان می دهند که برای پمپ متصل به الکترودهای بسیار آلاییده، در غیاب کشش و میدان مغناطیسی جریان پمپی با افزایش غلظت حاملین بار، زیاد شده و به یک مقدار حدی میل می کند .به دلیل پدیده ی تونل زنی کلاین هیچگونه تشدیدی در رسانایی و جریان پمپی اتفاق نمی افتد، اما با اعمال کشش و میدان مغناطیسی، رسانایی و جریان پمپی در نقطه دیراک واگرا شده و به ازای برخی از مقادیر غلظت حاملین بار، در آنها تشدید رخ میصدهد .اثر متقابل میدان مغناطیسی و کشش سبب ایجاد جریان وادی قطبیده قابل ملاحظهصای در نقطه دیراک و نقاط تشدیدی میصشود .در مورد الکترودهای بدون آلایش نیز در غیاب کشش و میدان مغناطیسی، جریان پمپی با افزایش غلظت حاملین بار، زیاد شده و به یک مقدار حدی میل می کند .با اعمال کشش و میدان مغناطیسی به اندازه کافی بزرگ، یک مقدار آستانه برای جریان پمپی بوجود میصآید که این مقدار آستانه برای مقادیر مختلف کشش و میدان مغناطیسی متفاوت می باشد .همچنین به ازای برخی از مقادیر غلظت حاملین بار، در رسانایی و جریان پمپی تشدید رخ میصدهد
متن يادداشت
By applying strainingrapheneand making changes in itsband structure a new functionality of graphene has emerged in the nanoelectronics. Strain results in the modification of the bond lengths, the hoping energybetween carbon atomsandthe lattice vectors. Thesechanges lead toa change intheband structureof graphene. Strain can change the electronic properties of graphene such as its conductivity. Generation of a current in a nanostructuredue to the periodicmodulations of the physical properties ofthe system and inthe absence of anyapplied bias voltage iscalledpumping. To create a pumped current in the system, at leasttwo system parameterssuch aselectrostatic potentialandmagnetic field should vary periodic and out of phase. The generated current is proportional to the frequency of the oscillations. In this thesis, we study conductance, pumped charge and valley currents in a strained graphene with a magnetic field imposed via ferromagnetic stripeswith antiparallel magnetizations deposited on top of the strained graphene. The pumping current is generated by two square potential barriers oscillating periodically and out of phase. We show that combined effect of the strain and ferromagnetic magnetization leads to the generation of a considerable pumped and pumped valley currents at the Dirac point and at the resonancees in the case of highly dopec leads. Moreover, for the case of the undoped leadsa threshold value for pumped charge and valley currentsappears as a function of the magnetic filed and strain and also electrostatic potentials
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )