دیود تونلی تشدیدی بر پایه ی نانو ساختارهای گرافینی
نام نخستين پديدآور
/سید مهدی ستاری اسفهلان
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک کاربردی و ستاره شناسی
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۵
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فوتونیک- مخابرات
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۴/۱۱/۱۷
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
دیود های تشدید تونلی (RTD)یکی از سریع ترین ادوات ساخت بشر در حوزه ی الکترونیک و فوتونیک است که در سوئیچ های نوری ،آشکار ساز های نوری ،گیرنده ها و فرستنده های اپتیکی و ...جایگزینی برای ترانزیستورهای MOS می باشد .این حوزه وسیع کاربردی، دیود تونلی را یک انتخاب بسیار مناسب برای مدارهای بسیار سریع ساخته است .در دیودهای تونلی با بایاس مستقیم ، هنگامی که انرژی تراز فرمی نوار n نسبت به تراز فرمی در طرف نوار pبه افزایش خود ادامه میدهد، به نقطهای میرسیم که در آن ترازهای فرمی از مقابل هم میگذرند .در این حالت با افزایش احتمال تونل زنی تشدیدی جریان عبوری شروع به افزایش می کند .با افزایش بیشتر ولتاژ و دور شدن از شرایط تونل زنی تشدیدی و در نتیجه کاهش جریان عبوری، ناحیهای با شیب منفی جریان تولید میشود که ناحیه ی (Negative Diffrential Resistance) نام دارد .از میان مواد و ساختارهای مورد استفاده برای طراحی یک دیود تونلی تشدیدی به تازگی گرافین توجه زیادی را به خود جلب کرده است .گرافین ورقه ی تک لایه ای از گرافیت با ساختار شبکه ی لانه زنبوری است که اتمها درآن با پیوندهای کوالانسی به هم متصل اند .گرافین به دلیل داشتن تحرک الکترون وحفره ی بالا، کوپل شدگی اسپین کم، عملکرد مناسب در دمای اتاق، نسبت On/Off بالا، بالستیک بودن حرکت حامل ها در آن) بدون جرم بودن حامل ها (و درنتیجه مصرف توان پایین ، جایگزین جدید و مناسبی برای مصارف فرکانس بالا است .لذا ما به دنبال ایجاد ساختارهایp - nبه عنوان چاه ها و سدها در گرافین و استفاده ازآن در تولید افزاره ای با خصوصیت مقاومت منفی به عنوان RTD هستیم .در این تحقیق از روش ماتریس انتقال (TMM)و روشهای محاسباتی مناسب دیگر برای حل معادله دیراک دو بعدی با هدف محاسبه ی طیف انرژی ساختار و مدل بندی ترابرد در RTD استفاده کرده ایم
متن يادداشت
Resonant tunneling diode (RTD) is one of the fastest devices in the field of electronics and photonics devices in optical switches, optical detectors, optical transmitter and receiver and is a replacement for MOS transistors. The broad scope of application and a tunnel diode is an excellent choice for very fast circuits. The tunnel diodes with forward bias, when the Fermi energy relative to the Fermi level in the strip n p bar continues to rise, we come to the point where they pass in front of the Fermi level. In this case, by increasing the flow began to increase the probability of resonant tunneling. By increasing the voltage further away from the conditions of resonant tunneling, thus reducing the flow, production flow, which is a region with a negative slope region (Negative Diffrential Resistance), is called. Among the materials and structures used to design a resonance tunnel diode recently graphene has attracted a lot of attention. Graphene, a single layer of graphite sheets with a honeycomb lattice structure in which the atoms are connected by covalent bonds. Because of the high electron mobility of graphene cavity, coupling the low spin, proper operation at room temperature, the On / Off High, the ballistic carriers move it (no offense being carriers) and therefore low power consumption, new alternative and It is suitable for high frequency applications. So we are looking for p-n structures as wells and dams in graphene and its use in the production of devices with negative resistance characteristics are as RTD. In this study, the transfer matrix method (TMM) and other appropriate computational methods for solving the two-dimensional Dirac equation to calculate the energy spectrum structure and modeling of transport in the RTD've used
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )