A combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices addresses the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS technology via strain engineering. The book provides the basis to compare existing technologies with the future technological directions of silicon heterostructure CMOS. After an introduction to the material.
یادداشتهای مربوط به سفارشات
منبع سفارش / آدرس اشتراک
Ingram Content Group
شماره انبار
TANDF_191357
ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه
عنوان
Strained-Si heterostructure field effect devices.
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
9780750309936
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
Strained silicon heterostructure field effect devices
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Metal oxide semiconductor field-effect transistors.
موضوع مستند نشده
Silicon-- Electric properties.
موضوع مستند نشده
Metal oxide semiconductor field-effect transistors.