عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TK7874
TK7874
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک
331976294X
شابک
9783319762944
شابک اشتباه
3319762931
شابک اشتباه
9783319762937
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Physical design and mask synthesis for directed self-assembly lithography /
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
Seongbo Shim, Youngsoo Shin.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Cham, Switzerland :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer,
تاریخ نشرو بخش و غیره
2018.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 online resource (xiv, 138 pages) :
ساير جزييات
illustrations (some color)
فروست
عنوان فروست
NanoScience and technology,
شاپا ي ISSN فروست
1434-4904
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
Intro; Preface; Contents; Acronyms; 1. Introduction; 1.1. Optical Lithography; 1.2. Next Generation Lithography Technologies; 1.2.1. Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL); 1.2.2. Electron Beam Lithography (EBL); 1.2.3. Nanoimprint Lithography (NIL); 1.3. Directed Self-Assembly Lithography (DSAL); 1.4. Overview of the Book; References; Part I. Physical Design Optimizations; 2. DSAL Manufacturability; 2.1. DSA Defect; 2.1.1. DSAL for IC Design and Fabrication; 2.1.2. Lithography-Induced DSA Defect; 2.2. DSA Defect Probability; 2.2.1. Definition; 2.2.2. Defect Probability Computation.
متن يادداشت
2.3. Experimental Observations; 2.4. Summary; References; 3. Placement Optimization for DSAL; 3.1. Introduction; 3.2. Defect Probability of Cell Pair; 3.3. Post-Placement Optimization; 3.3.1. Cell Flipping; 3.3.2. Cell Swapping and Flipping; 3.4. Automatic Placement; 3.4.1. Implementation of Placer; 3.4.2. Considerations on Analytical Placer; 3.5. Experiments; 3.6. Summary; References; 4. Post-Placement Optimization for MP-DSAL Compliant Layout; 4.1. Introduction; 4.2. MP-DSAL Decomposition; 4.3. Post-Placement Optimization; 4.3.1. MP-DSAL Decomposition of Standard Cells.
متن يادداشت
4.3.2. Placement Optimization for Cell Row; 4.3.3. Considerations of Interrow Conflict; 4.4. Experiments; 4.5. Summary; References; 5. Redundant Via Insertion for DSAL; 5.1. Introduction; 5.2. Preliminaries; 5.2.1. Defect Probability of Via Cluster; 5.2.2. Basic Redundant Via Insertion; 5.3. DSAL Redundant Via Insertion Algorithm; 5.3.1. Graph Modeling; 5.3.2. Heuristic Insertion Algorithm; 5.4. Experiments; 5.5. Summary; References; 6. Redundant Via Insertion for MP-DSAL; 6.1. Introduction; 6.2. Simultaneous Optimization of Redundant Via and Via Cluster; 6.2.1. ILP Formulation; 6.2.2. Graph-Based Heuristic.
متن يادداشت
6.3. Experiments; 6.4. Summary; References; Part II. Mask Synthesis and Optimizations; 7. DSAL Mask Synthesis; 7.1. Introduction; 7.2. Inverse DSA; 7.2.1. Numerical Results; 7.3. Inverse Lithography; 7.3.1. Approximation of Cost Gradient; 7.3.2. Evaluation; 7.4. Mask Design with Process Variations; 7.4.1. Inverse DSA and Inverse Lithography; 7.4.2. Insertion of DSA-Aware Assist Feature; 7.4.3. Assessment; 7.5. Summary; References; 8. Verification of Guide Patterns; 8.1. Introduction; 8.2. Test GPs; 8.2.1. Preparation of GPs; 8.2.2. Evaluation of GP Coverage; 8.3. Preparing a GP Using Geometric Parameters.
متن يادداشت
8.3.1. Geometric Parameters; 8.3.2. Principal Component Analysis; 8.3.3. Experimental Observations; 8.4. Constructing a Verification Function; 8.5. Experimental Assessment; 8.5.1. Choice of Parameters; 8.5.2. Parameter Reduction; 8.5.3. Comparison of GP Verification Methods; 8.5.4. A Global Verification Function; 8.6. Conclusions; References; 9. Cut Optimization; 9.1. Introduction; 9.2. Preliminaries; 9.2.1. Critical Cut Distances in MP-DSAL; 9.2.2. Wire Extension: Impact on Circuit Timing; 9.3. MP-DSAL Cut Optimization; 9.3.1. ILP Formulation; 9.3.2. Heuristic Algorithm; 9.4. Experiments; 9.5. Conclusion.
بدون عنوان
0
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
This book discusses physical design and mask synthesis of directed self-assembly lithography (DSAL). It covers the basic background of DSAL technology, physical design optimizations such as placement and redundant via insertion, and DSAL mask synthesis as well as its verification. Directed self-assembly lithography (DSAL) is a highly promising patterning solution in sub-7nm technology.
یادداشتهای مربوط به سفارشات
منبع سفارش / آدرس اشتراک
Springer Nature
شماره انبار
com.springer.onix.9783319762944
ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه
عنوان
Physical design and mask synthesis for directed self-assembly lithography.
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
9783319762937
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Integrated circuits-- Design and construction.
موضوع مستند نشده
Integrated circuits-- Masks.
موضوع مستند نشده
Lithography.
موضوع مستند نشده
Self-assembly (Chemistry)
موضوع مستند نشده
Circuits & components.
موضوع مستند نشده
Electronic devices & materials.
موضوع مستند نشده
Integrated circuits-- Design and construction.
موضوع مستند نشده
Integrated circuits-- Masks.
موضوع مستند نشده
Lithography.
موضوع مستند نشده
Nanotechnology.
موضوع مستند نشده
Precision instruments manufacture.
موضوع مستند نشده
Self-assembly (Chemistry)
موضوع مستند نشده
Semi-conductors & super-conductors.
موضوع مستند نشده
TECHNOLOGY & ENGINEERING-- Mechanical.
مقوله موضوعی
موضوع مستند نشده
TBN
موضوع مستند نشده
TEC-- 009070
رده بندی ديویی
شماره
621
.
3815
ويراست
23
رده بندی کنگره
شماره رده
TK7874
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Shim, Seongbo
نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Shin, Youngsoo
مبدا اصلی
تاريخ عمليات
20200823110826.0
قواعد فهرست نويسي ( بخش توصيفي )
pn
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
