Design and Fabrication of Vertical GaN Transistors for High-Power and High-Frequency Applications
نام عام مواد
[Thesis]
نام نخستين پديدآور
Wenwen Li
نام ساير پديدآوران
Chowdhury, Srabanti
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
University of California, Davis
تاریخ نشرو بخش و غیره
2017
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
160
يادداشت کلی
متن يادداشت
Committee members: Gu, Q. Jane; Islam, M. Saif
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
Place of publication: United States, Ann Arbor; ISBN=978-0-355-76427-7
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
Ph.D.
نظم درجات
Electrical and Computer Engineering
کسي که مدرک را اعطا کرده
University of California, Davis
امتياز متن
2017
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
Gallium nitride (GaN) is proving itself as the preferred material for high-power and high-frequency applications. Due to the increasing availability of bulk GaN substrates, vertical GaN transistors are coming to the forefront of research. Vertical structure is suitable for high-power applications as it minimizes surface-related dispersion issues prevailing in lateral high-electron-mobility transistors (HEMTs) and simultaneously provides a more economical solution for the same current rating.
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Electrical engineering
اصطلاحهای موضوعی کنترل نشده
اصطلاح موضوعی
Applied sciences;Gallium nitride;Metal Oxide Semiconductor Vertical Field Electron Transistors;Static Induction Transistors
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )