نمایش منو
صفحه اصلی
جستجوی پیشرفته
فهرست کتابخانه ها
انتخاب زبان
فارسی
English
العربی
عنوان
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
پدید آورنده
Jr-Tai Chen.
موضوع
Epitaxy.,Semiconductors-- Materials.
رده
کتابخانه
مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبانهای اروپایی
محل استقرار
استان:
قم
ـ شهر:
قم
تماس با کتابخانه :
32910706
-
025
شابک
شابک
9789175190730
شماره کتابشناسی ملی
شماره
b408501
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
Jr-Tai Chen.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 online resource (81 pages) :
ساير جزييات
illustrations (some color)
فروست
عنوان فروست
Linköping Studies in Science and Technology Dissertations,
مشخصه جلد
Number 1662
شاپا ي ISSN فروست
0345-7524 ;
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references.
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Epitaxy.
موضوع مستند نشده
Semiconductors-- Materials.
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Chen, Jr-Tai
نام تنالگان _ (مسئولیت معنوی برابر)
مستند نام تنالگان تاييد نشده
ProQuest (Firm)
مستند نام تنالگان تاييد نشده
Semiconductor Materials Division., Department of Physics, Chemistry, and Biology., Linköping University,issuing body.
مبدا اصلی
تاريخ عمليات
20180127143400.0
قواعد فهرست نويسي ( بخش توصيفي )
pn
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
اخطار!
اطلاعات را با دقت وارد کنید
گزارش خطا
پیشنهاد