Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
by Vassil Palankovski, Rüdiger Quay.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Vienna :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Imprint: Springer,
تاریخ نشرو بخش و غیره
2004.
فروست
عنوان فروست
Computational Microelectronics,
شاپا ي ISSN فروست
0179-0307
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.
ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
9783709171936
قطعه
عنوان
Springer eBooks
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Computer simulation.
موضوع مستند نشده
Electronics.
موضوع مستند نشده
Engineering.
موضوع مستند نشده
Microwaves.
موضوع مستند نشده
Optical materials.
موضوع مستند نشده
Surfaces (Physics).
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )