نمایش منو
صفحه اصلی
جستجوی پیشرفته
فهرست کتابخانه ها
انتخاب زبان
فارسی
English
العربی
عنوان
Early stages of oxygen precipitation in silicon
پدید آورنده
موضوع
، Silicon crystals-- Defects-- Congresses,، Silicon-- Oxygen content-- Congresses,، Semiconductors-- Defects
رده
QC
611
.
8
.
S5
.
E27
1996
کتابخانه
كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتي شريف
محل استقرار
استان:
تهران
ـ شهر:
تهران
تماس با کتابخانه :
66005817
-
021
شناسگر استاندارد دیگر
شماره استاندارد
112010
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
زمستان۷۷
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
English
عنوان و نام پديدآور
نام عام مواد
)40(
عنوان اصلي
Early stages of oxygen precipitation in silicon
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Dordrecht
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Kluwer Academic
تاریخ نشرو بخش و غیره
1996
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xviii, 530 p.: ill.; 25 cm
فروست
عنوان فروست
NATO ASI series. partnership sub-series 3, High technology; vol.71
يادداشت کلی
متن يادداشت
"Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Early Stages of oxygen precipitation in Silicon, Exeter, UK, March 26-29, 1996"-- T.p. verso
متن يادداشت
"Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division"
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
، Silicon crystals-- Defects-- Congresses
عنصر شناسه ای
، Silicon-- Oxygen content-- Congresses
عنصر شناسه ای
، Semiconductors-- Defects
رده بندی کنگره
شماره رده
QC
611
.
8
.
S5
.
E27
1996
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
کد نقش
TI
عنصر شناسه اي
edited by R. Jones
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU .R ,senoJ
عنصر شناسه اي
TI North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division
عنصر شناسه اي
TI NATO Advanced Research Workshop on Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon )1996: Exeter, England(
شماره دستیابی
نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه
04
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
اخطار!
اطلاعات را با دقت وارد کنید
گزارش خطا
پیشنهاد