عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TK7871.96 .B55,S55 2005
TK7871
.
96
.
B55
,
S55
2005
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک
0849335590
شماره کتابشناسی ملی
کد کشور
IR
شماره
EB17599
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
انگلیسی
کشور محل نشر یا تولید
کشور محل نشر
IR
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Silicon heterostructure handbook
نام عام مواد
[Electronic Resource]
ساير اطلاعات عنواني
:materials, fabrication, devices, circuits, and applications of SiGe and Si strained-layer epitaxy
نام نخستين پديدآور
/ edited byJohn D. Cressler
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Boca Raton, FL
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: CRC Taylor & Francis,
تاریخ نشرو بخش و غیره
, 2006.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 v.
ساير جزييات
:(various pagings) ill. 26 cm.
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
e
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
ng
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Bipolar transistors Handbooks, manuals, etc
موضوع مستند نشده
Silicon Handbooks, manuals, etc
رده بندی ديویی
شماره
621
.
3815
.
28
رده بندی کنگره
شماره رده
TK7871
.
96
نشانه اثر
.
B55
,
S55
2005
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Cressler, John D
مبدا اصلی
کشور
ایران
دسترسی و محل الکترونیکی
نام ميزبان
0849335590.pdf
شماره دسترسي
محرمانه
اطلاعات مختصر
محرمانه
تاريخ و ساعت مذاکره و دسترسي
0849335590.pdf
بيت در ثانيه
0
نوع فرمت الکترونيکي
متن
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
old catalog
وضعیت انتشار
فرمت انتشار
e
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
BL
پیشوند ISBD اعمال شده است
1
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
