101. Process technology for semiconductor lasers: crystal growth and microprocesses
المؤلف: Iga, Ken'ichi, 0491-
المکتبة: (خراسان الجنوبیة)
موضوع: ، Semiconductor lasers - Design and construction,، Laser materials,، Crystal growth,، Epitaxy
رده :
TA
1700
.
I4
P7
1996
102. Process technology for semiconductor lasers: crystal growth and microprocesses
المؤلف: Iga, Kenichi
المکتبة: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه فردوسی مشهد (خراسان رضوی)
موضوع: Semiconductor lasers - Design and construction,Laser materials,Crystal growth,Epitaxy
رده :
TA
1700
.
I49
1996
103. Recent developments in thin film research : epitaxial growth and nanostructures, electron microscopy, and X-ray diffraction : Proceedings of Symposium B on Epitaxial Thin Film Growth and Nanostructures and Proceedings of Symposium C on Recent Developments in Electron Microscopy and X-Ray Diffraction of Thin Film Structures of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997
المؤلف: ]G. Ritter ... et al., editors[
المکتبة: (طهران)
موضوع: Thin films, Epitaxy, Nanostructure materials, Electron microscopy, X-rays - Diffraction
رده :
TA
418
.
9
.
T45
S94
1997
104. Recent developments in thin film research :epitaxial growth and nanostructures, electron microscopy, and x-ray diffraction : proceedings of Symposium B on Epitaxial Thin Film Growth and Nanostructures and proceedings of Symposium C on Recent Developments in Electron Microscopy and X-Ray Diffraction of Thin Film Structures of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997
المؤلف: ]G. Ritter ... et al., editors[
المکتبة: (طهران)
موضوع: ، Thin films,، Epitaxy,، Nanostructured materials,، Electron microscopy,Diffraction ، X-rays
رده :
TA
418
.
9
.
T45
S94
1997
105. Recent developments in thin film research: epitaxial growth and nanostructures, electron microscopy, and x-ray diffraction: proceedings of Symposium B on Epitaxial Thin Film Growth and Nanostructures and proceedings of Symposium C on Recent Developments in Electron Microscopy and X-Ray Diffraction of Thin Film Structures of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997
المؤلف:
المکتبة: كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتی شریف (طهران)
موضوع: Congresses ، Thin films,Congresses ، Epitaxy,Congresses ، Nanostructure materials,Congresses ، Electron microscopy,Congresses ، X-rays-- Diffraction
رده :
TA
418
.
9
.
T45
.
S94
1997
106. Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
المؤلف: edited by H.W.M. Salemink, M.D. Pashley.
المکتبة: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)
موضوع: Epitaxy -- Congresses.,Nanostructured materials -- Congresses.,Semiconductors -- Surfaces -- Congresses.
107. Semiconductor-based heterostructures : interfacial structure and stability : proceeding of the Northeast regional meeting of the metallurgical society, sponsored by the New Jersey chapter and the materials research society, held at AT&T bell laboratories, Murray Hill, New Jersey, May 1-2, 1986.
المؤلف: Edited by Martin L. Green...]et al.[
المکتبة: المکتبه المرکزيه ومرکز التوثیق بجامعة الشهید باهنر فی کرمان (کرمان)
موضوع: Congresses ، Semiconductors,Congresses ، Surface chemistry,Congresses ، Molecular beam epitaxy
رده :
QC
610
.
9
.
S44
1986
108. #Semiconductor growth, surfaces, and interfaces
المؤلف: #edited by G.J. Davies and R.H. Williams
المکتبة: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی اصفهان (أصبهان)
موضوع: Semiconductors -- Surfaces ،Epitaxy
رده :
#
QC
،#.
S9
,
S44
109. Semiconductor heteroepitaxy: growth, characterization, and device applications: Montpellier, France, 4-7 July 1995
المؤلف:
المکتبة: كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتی شریف (طهران)
موضوع: Congresses ، Compound semiconductors,Congresses ، Crystals-- Growth,Congresses ، Epitaxy,Congresses ، Compound semiconductors-- Industrial applications
رده :
QC
611
.
8
.
C64
.
S35
1995
110. Semiconductor interfaces and microstructures
المؤلف:
المکتبة: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه الزهراء (س) (طهران)
موضوع: ، Semiconductors- Surfaces,، Superlattices as materials,، Epitaxy,، Quantum Wells
رده :
QC
611
.
6
.
S9
S45
1992
111. Semiconductor interfaces and microstructures
المؤلف: editor, Zhe Chuan Feng
المکتبة: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه فردوسی مشهد (خراسان رضوی)
موضوع: Surfaces ، Semiconductors,، Superlattices as materials,، Epitaxy,، Quantum wells
رده :
QC
611
.
6
.
S9
S45
1992
112. Semiconductor interfaces and microstructures
المؤلف:
المکتبة: كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتی شریف (طهران)
موضوع: ، Semiconductors-- Surfaces,، Superlattices as materials,، Epitaxy,، Quantum wells
رده :
QC
611
.
6
.
S9
.
S45
1992
113. Semiconductor interfaces and microstructures
المؤلف: editor, Zhe Chuan Feng
المکتبة: (طهران)
موضوع: Surfaces ، Semiconductors,، Superlattices as materials,، Epitaxy,، Quantum wells
رده :
QC
611
.
6
.
S9
S45
1992
114. SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
المؤلف: / edited by John D. Cressler
المکتبة: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)
موضوع: Bipolar transistors--Materials,Heterostructures.,Silicon--Electric properties,Epitaxy.
115. SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
المؤلف: / edited by John D. Cressler
المکتبة: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)
موضوع: Bipolar transistors--Materials,Heterostructures.,Silicon--Electric properties,Epitaxy.
رده :
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
S53
,
2008
116. Silicon Epitaxy
المؤلف: \ volume editors, Danilo Crippa, Daniel L. Rode, Maurizio Masi.
المکتبة: کتابخانه زبانهای خارجی و منابع اسلامی (قم)
موضوع: Semiconductors-- Design and construction,Silicon crystals-- Growth.,Epitaxy.
رده :
QC
612
.
S4
W5
E-book
,
117. Silicon epitaxy
المؤلف:
المکتبة: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه مازندران (مازندران)
موضوع: Semiconductors ; Design and construction ; Silicon crystals ; Growth ; Epitaxy ;
118. Silicon epitaxy
المؤلف: / volume editors, Danilo Crippa, Daniel L. Rode, Maurizio Masi
المکتبة: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)
موضوع: Semiconductors--Design and construction,Silicon crystals--Growth,Epitaxy.
119. Silicon-molecular beam epitaxy /
المؤلف: editors, Erich Kasper, John C. Bean.
المکتبة: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)
موضوع: Molecular beam epitaxy.,Silicon.,Eletricidade e eletronica (fisica),Molecular beam epitaxy.,Silicon.
رده :
QC611
.
6
.
M64
S56
1988
120. Silicon-molecular beam epitaxy.
المؤلف: editors, Erich Kasper, John C. Bean.
المکتبة: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)
موضوع: Molecular beam epitaxy.,Silicon.,Molecular beam epitaxy.,SCIENCE / Physics / Electricity.,SCIENCE / Physics / Electromagnetism.,Silicon.
رده :
QC611
.
6
.
M64
