فنآوری


SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
المؤلف: / edited by John D. Cressler
المکتبة: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)
موضوع: Bipolar transistors--Materials,Heterostructures.,Silicon--Electric properties,Epitaxy.
رده :
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
S53
,
2008
