دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، گروه مهندسی برق و الکترونیک
۱۰۱ص
چاپی
کارشناسی ارشد
مهندسی برق و کامپیوتر
۱۳۸۹/۰۳/۲۵
دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، گروه مهندسی برق و الکترونیک
در این پروژه به تحلیل و شبیه سازی مدولاتورهای الکتروجذبی در ساختارهای نانو نیمه هادی می پردازیم.این نوع مدولاتورها از نوع External بوده و در آنها از پدیده الکتروجذبی برای انجام عمل مدولاسیون شدت استفاده می شود.مواد مورد استفاده در این پروژه عبارتند از AlInAs/InGaAs و AlGaN/GaN/AlN که به صورت چاه کوانتومی و چند چاه کوانتومی استفاده شده اند.اساس مدولاسیون در این ساختارها استفاده از میدان الکتریکی مدوله کننده خارجی است که باعث تغییر قله جذب می شود .با تغییر پیک جذب در طول موج مورد نظر شدت نور خروجی تغییر خواهدکرد و نوع تغییر را میدان الکتریکی مشخص خواهد کرد.به همین منظور ابتدا فرایندهای نوری دخیل در ساختارهای چاه کوانتومی شبیه سازی شده و بعد از بدست آوردن خواص نوری در این ساختارها ضریب جذب محاسبه شده و اثر میدان خارجی روی نور مدوله شده بررسی می شود .به منظور افزایش ضریب جذب ساختار جدیدی معرفی شده است.
In this project we analyze and simulate electro-absorption modulators in semiconductor nano structures. These modulators are external type modulatros. The considered material in this project are AlInAs/GaInAs and AlGaN/GaN/AlN quantum well and multiquantum wells. The modulation principle is based on using an external modulating electric field which changes the absorption peak. By changing the absorption peak, the amplitude of output light in the given wavelength will be variable. The kind and shape of variations is determined by external field. In this way, first the optical process involved with semiconductor quantum well structure are simulated and after obtaining the optical properties of the structure, the absorption coefficient is calculated and effect of external field on the light modulated is investigated. In order to increase the absorption coefficient new structure have been proposed.