۱۶۹۳۳پ
per
مطالعه عملکرد ترانزیستور قدرت ماسفت در محیط تابش های فضایی در مدار پایین ماهوارهLEO))
/ندا بخشی
: فیزیک
، ۱۳۹۵
، افشاری
چاپی
کارشناسی ارشد
فیزیک هسته ای
۱۳۹۵/۰۶/۲۱
دانشگاه تبریز
ماهواره های مدار ارتفاع پایین در ارتفاع ۲۰۰ تا ۲۰۰۰ کیلومتری نسبت به سطح دریا، به دور زمین در حال گردش هستند .الکترون‌صها و پروتون‌صها ی به دام افتاده در میدان مغناطیسی زمین کمربند تابشی را تشکیل داده اند که کمربند ون آلن نامیده می‌صشود .ذرات باردار مختلفی در فضا وجود دارد که در طول زمان ممکن است عملکرد ماسفت تابش دیده را کاهش دهند، این اثر را دز یونشی کلی می نامند
Satellites in the Low Earth Orbit (LEO) circle earth at a height of around 200 to 2000 km above the sea level. Protons and electrons are trapped in planetary magnetic fields, forming radiation belts (Van Allen belts). Various radiation particles in space which may degrade the power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET) performance over time, (called Total Ionizing Dose in electronic devices). In this work the transistors are exposed with the 662keV gamma-ray of a 5.6 mCi 137Cs source. Ionization caused due to TID in commercial N-channel MOSFETs has been studied, where the failure mechanism is found to be mainly a result of the changes in the oxide layer and oxide gate channel. The threshold voltage shift of MOSFETs, IRF 840 and IRF 540 has been measured for doses 26.91Gy, 13.41 Gy and 9.63 Gy. The amount of voltage shift of IRF 840, 0.076 V was considered as maximum dose, and 0.029 V was considered as minimum does. The variation in voltage shift of transistor IRF 840 changes linearly with absorbed dose, but this change shows no linear relation for IRF 540. Little information about the operation of these pieces in radiation field of charged particles can provide useful information about the utilization of this transistor in aerospace industry
بخشی،ندا
دکتر صالح اشرفی، استاد راهنما
استاد مشاور
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
