عرض القائمة
الرئیسیة
البحث المتقدم
قائمة المکتبات
إختر اللغة
فارسی
English
العربی
عنوان
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
پدید آورنده
Jacopo Franco • Ben Kaczer ,Guido Groeseneken
موضوع
Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Reliability. Metal oxide semiconductors, Complementary > Reliability.
رده
E-Book
,
کتابخانه
کتابخانه زبانهای خارجی و منابع اسلامی
محل استقرار
استان:
قم
ـ شهر:
قم
تماس با کتابخانه :
37839111
9789400776623
39769
انگلیسی
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
[electronic resources]
Jacopo Franco • Ben Kaczer ,Guido Groeseneken
Dordrecht : Springer, 2014.
xix, 187p.
ill.
Springer Series in Advanced Microelectronics 47
Bibliography
Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Reliability. Metal oxide semiconductors, Complementary > Reliability.
E-Book
,
Franco, Jacopo, author. Contributor Kaczer, Ben, author. Groeseneken, Guido, author.
ایران
مطالعه متن کتاب
BL
279177
a
N
الاقتراح / اعلان الخلل
×
الاقتراح / اعلان الخلل
×
تحذیر!
دقق في تسجیل المعلومات
اعلان الخلل
اقتراح