#در این پایان نامه روابط بسته ای برای پراکندگی فونونهای صوتی و فونونهای نوری غیرقطبی درون دره ای و بین دره ای و پراکندگی فونونهای نوری قطبی در ساختار یک بعدی نانوسیم GaAs/AlGaAs ارائه کرده ایم .یک رابطه جدید برای چگالی حالات یک بعدی با در نظر گرفتن اثر غیر سهمی بودن نوار انرژی بدست آورده-ایم .روابط بسته ما را از محاسبات زمان برحل عددی انتگرالهای پیچیده در روابط پراکندگی نانوسیمها بی نیاز میصکند .توابع موج و ترازهای انرژی نانوسیم را از ترکیب چاه پتانسیل مثلثی و چاه پتانسیل مربعی بینهایت بدست آوردهصایم .اثر تغییر در ابعاد نانو سیم روی پراکندگی ناشی از فونونها را نیز مورد بررسی قرار دادهصایم و سپس با استفاده از روابط پراکندگی به دست آمده به شبیهصسازی و بررسی ترانزیستورهای نانوسیمی به روش مونت کارلو پرداخته ایم .