شماره کتابشناسی ملی
کد کشور
IR
شماره
۶۰۸۱۰۵
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
فارسی
کشور محل نشر یا تولید
کشور محل نشر
IR
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
سلول حافظه SRAM کم توان و قابل اطمينان و طراحي آرايه‌اي
نام عام مواد
[کتاب هاي فارسي و عربي]
نام نخستين پديدآور
/ مولف [صحيح: ويراستار] کويچيرو ايشيباشي، کنيچي اوسادا
نام ساير پديدآوران
؛ مترجمين صنم سهرابي آجي‌بيشه، سهيل ضياءبخش.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
تهران
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: نياز دانش
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۶
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۷۱ ص.
ساير جزييات
: مصور، جدول، نمودار
يادداشت کلی
متن يادداشت
978-600-7724-95-8 ISBN
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
عنوان اصلي: Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011.
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
کتابنامه
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011.
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
مدارهای مجتمع ولتاژ پایین
عنصر شناسه ای
Low voltage integrated circuits
عنصر شناسه ای
مدارهاي مجتمع -- مجتمع سازي در مقياس بسيار بزرگ -- طرح و ساختمان
عنصر شناسه ای
ابزار ذخيره‌سازي نيمه‌هادي
تقسیم فرعی موضوعی
-- طرح و ساختمان
تقسیم فرعی موضوعی
-- Deign and construction
رده بندی ديویی
شماره
۶۲۱
/
۳۸۱۵
س
۶۷۷
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
عنصر شناسه اي
ايشيباشي
عنصر شناسه اي
Ishibashi
عنصر شناسه اي
اوسادا
عنصر شناسه اي
Osada
عنصر شناسه اي
سهرابي آجي‌بيشه
عنصر شناسه اي
ضياءبخش
ساير عناصر نام
، کويچيرو
ساير عناصر نام
, Koichiro
ساير عناصر نام
، کنيچي
ساير عناصر نام
, Kenichi
ساير عناصر نام
، صنم
ساير عناصر نام
، سهيل
تاريخ
، ۱۳۵۷ -
تاريخ
، ۱۳۶۰ -
خط فهرست نویسی
ba
خط فهرست نویسی
ba
مبدا اصلی
کشور
ایران
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
فهرستنويسي قبلي
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
BF
پیشوند ISBD اعمال شده است
1
