شابک
شابک
۹۷۸-۶۰۰-۷۷۲۴-۹۵-۸
شماره کتابشناسی ملی
کد کشور
IR
شماره
۳۱۳۷۷
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
فارسی
کشور محل نشر یا تولید
کشور محل نشر
IR
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
سلول حافظه SRAM کم‌توان و قابل اطمینان و طراحی آرایه‌ای
نام عام مواد
[کتاب]
نام نخستين پديدآور
/ مولف [صحیح: ویراستار] کویچیرو ایشیباشی، کنیچی اوسادا
نام ساير پديدآوران
؛ مترجمین صنم سهرابی آجی بیشه، سهیل ضیاءبخش
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
تهران
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: نیاز دانش
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۶.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۷۱ ص.
ساير جزييات
: مصور، جدول
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
عنوان‌اصلی: Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011.
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
کتابنامه
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
مدارهای مجتمع ولتاژ پایین -- طرح و ساختمان
موضوع مستند نشده
Low voltage integrated circuits - Deign and construction
موضوع مستند نشده
مدارهای مجتمع -- مجتمع سازی در مقیاس بزرگ -- طرح و ساختمان
موضوع مستند نشده
ابزار ذخیره سازی نیمه هادی
موضوع مستند نشده
Semiconductor storage devices
رده بندی کنگره
شماره رده
TK
۷۸۷۴
/
۶۶
نشانه اثر
/
س
۸ ۱۳۹۶
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
ایشیباشی، کویچیرو
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Koichiro ،Ishibashi
مستند نام اشخاص تاييد نشده
اوسادا، کنیچی
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Kenichi ،Osada
مستند نام اشخاص تاييد نشده
سهرابی آجی بیشه، صنم، ۱۳۵۷ -، مترجم
مستند نام اشخاص تاييد نشده
ضیاءبخش، سهیل، ۱۳۶۰ -، مترجم
شناسه افزوده (تنالگان)
مستند نام تنالگان تاييد نشده
پژوهشکده میکروالکترونیک ایران
مبدا اصلی
کشور
ایران
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
فهرستنویسی قبلی
وضعیت انتشار
فرمت انتشار
p
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
کتاب فارسی
پیشوند ISBD اعمال شده است
1
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
