شماره کتابشناسی ملی
شماره
۱۰۶۲۰پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
مطالعه ساختار و اندازه‌گیری پارامترهای الکتریکی لایه‌های نازک نانوساختار سلنیدقلع (SnSe) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق
نام نخستين پديدآور
/سهیلا حسنعلی زاده دیزجی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: دانشکده فیزیک
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۰۵ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک-حالت جامد و الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۱/۱۱/۲۵
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
از بین روش‌های مختلف تهیه لایه‌صهای نازک سلنیدقلع، ساده-ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلم‌صهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید .در این کار تجربی ضریب ثابت هال ، مقاومت ویژه ، رسانندگی الکتریکی ، تحرک پذیری و چگالی حامل‌صهای بار n و خواص ساختاری لایه‌صهای نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی (CBD)با۱۲=pH ۲/۰ در دمای اتاق روی زیرصلایه‌صهای شیشه‌صای نهشته شده‌صاند، بررسی شدند .مکانیسم لایه‌صنشانی به صورت کلاستر به کلاستر بوده و این لایه‌صها دارای ساختار ارتورومبیک با جهت ترجیحی صفحه (۴۰۰) بودند هم‌صچنین با بررسی ساختار لایه-های نازک سلنیدقلع با طیف پراش اشعه X مشخص شد که ساختار لایه‌صها به شدت به مدت زمان لایه‌صنشانی و pH محلول وابسته بوده و بعد از ۴۸ ساعت لایه نشانی، از ضخامت و یکنواختی لایه‌صهای نازک کاسته شد pH بهینه برای این کار تجربی ۰۵/۱۲ بود و در بهترین شرایط لایه‌صها ضخامت nm ۴۰۰ داشتند .هم‌صچنین با شرایط بهینه ذکر شده برای لایه‌صهای تهیه شده در دمای اتاق، مقاومت ویژه‌صیcm ۶۳/۲۱۶ ، رسانندگی۱۰-۱( ۳- cm) ۶۱۶/۴ ، ضریب هال cm۳ /C ۲۸۲۶/۰ و چگالی حامل-های بار و تحرک پذیری حامل‌صصهای بار به ترتیب-(cm)۱۹ ۱۰ ۳ ۲/۲ و۱۰ - cm۲ /V.S ۳ ۳۰۳/۱ بدست آمد
متن يادداشت
0.2 at room temperature on glass substrates were investigated. The mechanism of deposition was cluster by cluster and films had orthorhombic structure with prefered orientation along the (400) plane. From done measurmemts and mentioned proofs it was found that tin selenide thin films structural properties depend strongly on deposition time and solution pH. After deposition time for 48h a decrease in thickness and uniformity of films were observed. Optimised pH for this deposition was found to be 12.05. With the best condition at room temperature, films had thickness of about 400 nm and resistivity of 216.63 cm conductivity of 4.616 Among the methods for preparation of tin selenide thin films, chemical bath deposition is the simplest and cheapest technique that could produce good quality films at room temperature for electronic devices. In this experimental work Hall coefficient, resistivity, conductivity, Hall mobility, carrier density and structural properties of tin selenide thin films deposited by chemical bath technique with pH= 12 1 , Hall coefficient of 0.2826 cm3/C and Hall mobility and carrier density were respectively 1.303 -3 (cm)- 10 3 cm 2 /V.S and 2.2 - 103 - 1019 (cm)
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
حسنعلی زاده دیزجی، سهیلا
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
بیدادی، حسن، استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
پرهیزکار، مجتبی، استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
هادیان، فرامرز، استاد مشاور
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
