عنوان

ضریب جذب خطّی و غیر خطّی در چاه کو انتومی دوگانه ی نامتقارن

شماره

پ۲۴۳۶۲

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

ضریب جذب خطّی و غیر خطّی در چاه کو انتومی دوگانه ی نامتقارن

نام نخستين پديدآور

سمیّه فرهادی دیزجی

نام ناشر، پخش کننده و غيره

فیزیک

تاریخ نشرو بخش و غیره

۱۳۹۹

نام خاص و کميت اثر

۷۲ص.

مواد همراه اثر

سی دی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

فیزیک گرایش ماده چگال

زمان اعطا مدرک

۱۳۹۹/۱۱/۲۹

متن يادداشت

چکیده: پیشرفت¬های روز افزون در زمینه‌ی فناوری ساخت نیم رساناهای کم بعد با دقت بالا و نیز ویژگی-های منحصربه فرد این ساختار ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر های مادون قرمز، تقویت کننده ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. ساختار¬های چاه کوانتومی یکی از کاندیدهای مورد مطالعه‌ی این نیم‌رساناهاست که در آن حاملین بار در یک‌بعد محبوس‌اند و سطوح الکترونیکی در این بعد گسسته است. در این پایان‌نامه، چاه کوانتومی دوگانه‌ی نامتقارن و اثرات نامتقارن بودن چاه‌های کوانتومی بر ضرایب جذب نوری خطّی و غیر خطّی برای گذار الکترون از حالت پایه به اوّلین و دوّمین حالت برانگیخته بررسی شده‌است. برای پیدا کردن ترازهای انرژی و توابع موج، روش عددی قطری¬سازی در تقریب جرم مؤثّر به کار رفته‌است. سپس با استفاده از ماتریس چگالی و بر اساس انرژی¬ها و توابع موج محاسبه شده، ضرایب جذب محاسبه شدند. نتایج بدست آمده نشان می‌دهد برای گذار 1 به 2 با افزایش پارامتر نامتقارنی، ابتدا بیشینه‌ی ضریب جذب به طور منظّم کاهش می¬یابد؛ امّا در ادامه وقتی نسبت عرض چاه‌ها به‌طور قابل ملاحظه‌ای بزرگ می‌شود، این بیشینه شروع به افزایش می¬کند. برای گذار 1 به 3 نیز با افزایش پارامتر نامتقارنی، بیشینه‌ی ضریب جذب ابتدا با شیب تند افزایش می¬یابد و با رسیدن به یک مقدار بیشینه کاهش می¬یابد. وقتی نسبت عرض چاه¬های کوانتومی تغییر می¬کند، می¬توان رفتار ضریب جذب را برای گذارهای مختلف از روی تغییراتی که برای انرژی¬ها و عناصر ماتریس گذار اتّفاق می¬افتد، توضیح داد.

متن يادداشت

Owning to break though in fabrication technology of low dimensional semiconductors as well as their unique properties, these structures have become a part of new generation of high speed electro- optical devices such as far-infrared laser, amplifiers and photo- detectors. Quantum well structures are one of the studied candidates for these semiconductors in which the charge carriers are trapped in one dimension and the electronic surfaces are broken in this dimension. In this dissertation, double asymmetric quantum wells and the effects of asymmetric parameter on linear and nonlinear optical absorption coefficients for electron transition from the ground state to the first and second excited states are investigated. To find energy levels and wave functions, the numerical method of diagonalization has been used in effective mass approximation. Then, the absorption coefficients were calculated using the density matrix and based on the calculated energies and wave functions. The results show that for the transition from 1 to 2, by increasing the asymmetric parameter, the maximum regular absorption

عنوان گونه گون

Linear and nonlinear absorption coefficients of the asymmetric double quantum well

عنصر شناسه اي

‏‏فرهادی دیزجی‏

ساير عناصر نام

‏ ‏‏‏سمیه

کد نقش

تهيه کننده

عنصر شناسه اي

‏سلطانی والا

عنصر شناسه اي

‏بروستانی

ساير عناصر نام

‏ علی

ساير عناصر نام

‏ جمال

تاريخ

استاد راهنما

تاريخ

استاد مشاور

عنصر شناسه اي

‏ تبریز