شماره کتابشناسی ملی
شماره
۷۶۴۲پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
بررسی اثر ترازهای تله ای بر روی خواص ترابردی HEMT هایAlGaN/GaN
نام نخستين پديدآور
/محمدرضا کارآمد
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
فیزیک
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۰۳ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
فاقداطلاعات کامل
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۵/۰۷/۰۵
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
در بررسی های تئوری معمولا کریستالها و جامدات را بصورت ایده آل در نظرگرفته می شود .ولی در یک بلور واقعی ناخالصی ها و ناکاملیهایی وجود دارند که می توانند بصورت عمدی یا غیر عمدی باشند .بعلاوه اثرات سطح در بلورها نیز همواره وجود دارد و امری گریز ناپذیر است .وجود این اثرات باعث ایجاد ترازهایی در گاف ممنوعه انرژی خواهد شد که به آنها ترازهای تله ای گفته می شود .ترازهای تله ای مکان مناسبی برای تله اندازی حاملین بار می باشند .این ترازها بسته به مکانشان در نمونه مورد بررسی باعث تغییر خواص الکترونیکی و فوتونیکی ماده از جمله ولتاژ شکست، پاسخ دهی نوری و ...می شوند .بویژه در ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN که در این پایاننامه مد نظر است، اثرات ترازهای در این ساختارها را مورد بررسی قرار می دهیم .در این پروژه اثر حالتهای سطحی واقع در ناحیه گیت نشده بین گیت و درین و نیز اثر ترازهای تله ای واقع در لایه AlGaN را مورد بررسی قرار می دهیم .از جمله انحرافات از حالت ایده آلی که بواسطه حضور ترازهای فوق در ترانزیستورهای اثر میدان بوجود می آید، نشت جریان گیت است که میتواند از طریق سطح و یا از طریق گیت صورت گیرد .در این پایاننامه جریانهای نشتی از سطح و جریان نشتی از گیت برای کسرهای مولی مختلف آمومینیوم محاسبه شده است .در محاسبه جریان گیت از سطح از تونل زنی دو مرحله ای از طریق ترازهای تله ای که تونل زنی به کمک ترازهای تله ای نامیده می شود استفاده کرده ایم .در این مدلبندی انرژی تراز تله ای و چگالی تراز تله ای مربوطه به آن به عنوان پارامتر فیت در قیاس با داده های تجربی در نظر گرفته شد .به منظور انطباق جریان نشتی گیت محاسبه شده و داده های تجربی، انرژی و چگالی تراز تله ای را به ترتیب برابر با و بدست آوردیم .مقایسه نتایج بدست آمده با داده های تجربی موجود سازگاری خوبی را نشان میدهد .
متن يادداشت
.depend on their plases in the sample. Specially in AlGaN/GaN high electron mobility transistors which are our focus in this thesis, we consider the effect of trap levels in these devices. We consider the effect of trap levels in the ungated region between gate and drain ans trap levels in AlGaN layer. Gate leakage current is one of the deviation from the ideal case in AlGaN/GaN high electron mobility transistors which is resulted due to presence of traps in ungated regions and AlGaN layer and can occur throught the surface and gate. Gate leakage currents through the surface and through the gate were calculated for different Al mole fractions. We have used the two step tunneling via traps which named trap assisted tunneling model in calculation gate current through the gate. In this modeling trap level energy and trap level density in AlGaN layer have been assumed as a fitting parameters to exprimental data and achieved and respectively.The Comparision of obtained results with the existing experimental data shows a good agreement ۵In theoritical considerations it's usually assumed that crystals and solids are ideal . But there are impurities and imperfections in a typical crystal which can be either intentional and unintentional.In addition surface effectsalways exist and are unavoidable . Existing these levels cause levels in forbidden gap which named trap levels.Trap levels can capture charge carriers. These traps can change electronic and photonic properties such as breackdown voltage and optical response and
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
کارآمد، محمدرضا
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
کلافی، منوچهر، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
عسکری، اصغر، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
رضایی، بهروز، استادمشاور
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
