شماره کتابشناسی ملی
شماره
۷۶۳۶پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
بررسی و اندازه گیری ظرفیت خازن پیوند pn در بایاس معکوس
نام نخستين پديدآور
/ناصر ابراهیمی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک
نام توليد کننده
، فرخی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۱۴ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
فاقداطلاعات کامل
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۴/۰۶/۳۱
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
یک روش برای اندازه‌گیری ظرفیت مؤثر دیود در بایاس معکوس و با استفاده از تقویت کننده‌های عملیاتی فرکانسهای بالا مورد بررسی قرار گرفته است .دستگاههای زیادی برای اندازه‌گیری ظرفیت خازن بدون بایاس وجود دارد .ولی، به طوری که می‌دانیم، ولتاژ بایاس معکوس ظرفیت ناحیة بار فضایی را تغییر می‌دهد، بنابراین، ظرفیت ناحیة بار فضایی به صورت تابعی از ظرفیت بر حسب ولتاژ بایاس معکوس مشخص می‌شود .در این کار ولتاژ VDC برای برقراری نقاط کار مختلف اعمال شد و سپس، یک ولتاژ متناوب تحریک با دامنة کوچک در نزدیکی ولتاژ DC اعمال شد، و ظرفیتهای دیودهای مختلف در شرایط مختلف بایاس اندازه‌گیری شد .مزیت این روش آن است که برای کاربرد آن نیازی به دستگاه مخصوصی نیست و مدار اندازه‌گیری طوری طرح شده است که فقط یکی از پارامترهای مدار تحت تأثیر ولتاژ بایاس معکوس دیود قرار می‌گیرد .منحنیهایC - Vبه دست آمده از کاربرد این مدار برای ولتاژهای بایاس معکوس ۰ تا ۳۰ ولت مورد بررسی قرار گرفت و نتایج به دست آمده با نتایج پژوهشگران دیگر و کارخانة سازندة این وسایل نیمرسانا تطابق دارد .
متن يادداشت
.In this work a measurement methode for effective capacitance of the diode using the reverse biased voltage and operational amplifiers is presented. Numerous instruments are commercially available to measure unbiased static capacitance of capacitors. But, as we know the reverse biased voltage changes the effective capacitance of the depletion region of semiconductor junction, thus the reverse bias diode capacitance is characterized by a function of capacitance vs. reverse bias voltage. The measurement is made over a range of different reverse bias condition. For the experiment VDC is used to set different operating point for the diode, and then, a small ac voltage excitation is applied in the neighborhood of each DC biasing voltage, and capacitance for different diodes is measured. The advantage of this methode is that it does not require any special test structure, and the test circuit for junction capacitance is designed such that only one component require a voltage rating equal to the DC diode bias. C-V profiles generated using this circuit were presented for biases of ۰ to ۳۰V
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
ابراهیمی، ناصر
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
عقل‌آرا، حسن، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
دیلمقانی، استادمشاور
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
