بولومترها آشکارسازهای هستند که کاربردهای نظامی و غیر نظامی دارند .زمانی که بولومتر در معرض پرتو الکترومغناطیسی قرار میگیرد، سیگنال خروجی، از طریق تغییر مقاومت در ماده ترمیستور پوشیده شده با لایه جاذب، تولید می شود .شایستگی ماده ترمیستور در ضریب دمایی مقاومت بالا و سطح نویز پایین است .پارامتری است که نشان میدهد مقاومت ماده چگونه به تغییرات دما حساس است .مواد متفاوت مثل وانادیوم اکساید، نیمه هادی های تک کریستالی یا چند کریستالی، مواد ترمیستور امروزی هستند .در دهه اخیر به عنوان ماده ترمیستور به رسمیت شناخته شده است .در این مطالعه، ساختار چند لایه کوانتومی برای ارزیابی کارایی آن به عنوان ماده ترمیستور توصیف و شبیه سازی شده است نمای کلی این پایانصنامه با معرفی کاربردهای تکنولوژی مادون قرمز، آشکارسازهای مادون قرمز و پارامترهای اساسی بولومتر آغاز می شود .در ادامه تئوری جامع از مواد ترمیستور، کشش در ساختار چندلایه کوانتومی و راهکارهای بهبود پاسخ حرارتی در سیستم به بحث و بررسی گذاشته شده و در نهایت نتایج شبیه سازی بولومتر کوانتومی ارائه می گردد
متن يادداشت
Bolometers are un-cooled detectors and have both civil and military applications. The output signal is generated through the resistivity change in a thermistor material coated by an absorbing layer when the bolometer exposed to the electromagnetic beam. The finger of merit of thermistor material is a high temperature resistivity coefficient (TCR) and low noise level. TCR is a parameter which shows how the resistivity of material is sensitive to temperature variation. Different materials e.g. Vanadium oxide, poly and single crystalline semiconductors are the today's thermistor materials. During the last decade, SiGe has been recognized as thermistor material. TCR values of high quality crystals provide low 1/f noise. In this study, multi-quantum wells stacks of SiGe/Si were simulated and characterized to evaluate their performance as thermistor materials.The outline of the thesis begins with an introduction to applications of infrared technology, infrared detectors, basic parameters of bolometers. Chapter 2 contains a brief review of general theory of thermistor materials, strain in multi-quantum structure and methods for enhanced temperature response. Chapter 3 is devoted to theoretical work which includes simulation and characterization of multi- quantum wells (MQW) devices
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Infrared
موضوع مستند نشده
Detector
موضوع مستند نشده
Bolometer
موضوع مستند نشده
Thermistor
موضوع مستند نشده
Semiconductor
موضوع مستند نشده
TCR
موضوع مستند نشده
SNR
موضوع مستند نشده
Quantum well
موضوع مستند نشده
SiGe/Si(C)
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )