شماره کتابشناسی ملی
شماره
۵۱۴۲پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
طراحی نانوترانزیستور تک الکترونی دردمای اتاق
نام نخستين پديدآور
/مصطفی میرعلائی موردی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی فناوری‌های نوین، گروه مهندسی نانوالکترونیک
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۰۲ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی‌ارشد
نظم درجات
مهندسی نانوفناوری- نانوالکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۰/۰۶/۱۹
کسي که مدرک را اعطا کرده
دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی فناوری‌های نوین، گروه مهندسی نانوالکترونیک
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
در این پایان‌صنامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه‌صی کوانتومی سیلیکونی) جزیره-ی نیمه‌صهادی (قابل استفاده در دمای اتاق را مدل‌صسازی کنیم .در این راستا، اثرگسسته شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه‌صهادی) نقطه‌صی کوانتومی (دراثرکوچک شدن اندازه جزیره)کوچکتراز۱۰نانومتر (و اثر پهن‌صشدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه‌صی کوانتومی با کنتاکت-های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مورد بررسی قرارمی‌صدهیم .با حل معادله شرودینگربرای ساختارنقطه کوانتومی کروی ازجنس سیلیکون، سطوح انرژی و توابع موج مربوط به این سطوح را بدست می‌صآوریم .سپس با در نظر گرفتن اثر پهن‌صشدگی متفاوت برای هر سطح انرژی نشان می‌صدهیم که نرخ جریان تونل‌صزنی برای هر سطح انرژی متفاوت است .هم‌صچنین برای بدست آوردن این تفاوت درمیزان نرخ تونل‌صزنی، عبارتی را برای نرخ تونل‌صزنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می‌صآوریم وبرمبنای آن مشخصات رسانایی مربوط به این ترانزیستور را برای نوسانات کولنی در ولتاژصهای بایاس اعمالی متفاوت و هم‌صچنین در دماهای مختلف شبیه‌صسازی کرده و مورد بحث قرار می‌صدهیم
متن يادداشت
In this thesis, we have modeled silicon quantum dot-based single-electron transistors (SETs) operating at room temperature. Where, effect of the QD's energy-levels quantization and broadening on performance of the SET has been investigated. First of all, we have obtained the energy-levels and corresponding wave functions for spherical Si QDs, by solving the Schrodinger equation in three dimensions. Different tunneling current rates of separated energy-levels are demonstrated by considering non-equal energy-level broadenings. An expression for corresponding tunneling rate in quantum Coulomb blockade regime has been derived, consequently. The transconductance characteristics of the Si QD SET device with Coulomb oscillations is simulated and discussed for different applied bias voltages and temperatures
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Single-Electron Transistor (SET)
موضوع مستند نشده
Quantum Dot(QD)
موضوع مستند نشده
Silicon
موضوع مستند نشده
Energy quantization
موضوع مستند نشده
energy-level broadening
موضوع مستند نشده
Quantum Coulomb blockade regime
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
مصطفی میرعلائی موردی
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
رستمی، علی، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
عباسیان، کریم، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
رسولی، حسن، استادمشاور
مستند نام اشخاص تاييد نشده
کیانی، غلامرضا، استادمشاور
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
