شماره کتابشناسی ملی
شماره
۲۲۳۲۶پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور گرافنی فوق سریع
عنوان اصلي به زبان ديگر
Design and Simulation of an Ultra-Fast Graphene Transistor
نام نخستين پديدآور
/بهناز موثق
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فناوری های نوین
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۴
نام توليد کننده
، افشاری
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۷۷ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
مهندسی نانوفناوری- نانوالکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۴/۰۶/۲۸
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
گرافن به دلیل شکاف انرژی صفر به عنوان ماده مناسبی به عنوان کانال در ترانزیستورها نمی‌صباشد به هر حال اخیرا مهندسی مواد, مواد مختلفی بر پایه گرافن ساخته‌صاند و ترکیبات متفاوت از گرافن و مواد متفاوت را معرفی کرده‌صاند در این پایان‌صنامه از ساختارصهای جدید معرفی شده به عنوان کانال ترانزیستورهای اثر میدان استفاده شده است به همین علت ویژگی‌صهای منحصرصبه فرد گرافن را تخریب نکرده‌صاست .همچنین اثر کاهش طول‌صکانال و اتصال الکترود بر عملکرد ترانزیستور و فرکانس قطع بررسی شده است .در ادامه انواع ترانزیستورها با ساختارهای متفاوت و جدید باهم مقایسه شده و مشخصه انتقال ترانزیستورهای دو بعدی که ساختاری کاملا جدید و برتر نسبت به ساختارهای اشاره شده است را با ترکیبات متفاوت از مواد در کانال و اندازه‌صهای مختلف ترانزیستور شبیه‌صسازی شده است در این پایان‌صنامه از شبیه سازی NANOTCAD استفاده شده است ,که یک شبیه ساز کامل برای ساختارصهای گرافنی است و تمام عوامل موثر در عملکرد ترانزیستور را مورد بررسی قرار می‌صدهد همچنین ساختاری جدید از ترانزیستورهای دوبعدی را طراحی و شبیه‌صسازی کرده‌صام
متن يادداشت
In physics, terahertz radiation known as electromagnetic waves of frequencies range from 1011 to 1013 Hz and occupies a middle ground between microwaves and infrared light. Terahertz detectors in the late twentieth century were built using the quantum properties of semiconductor materials. The utilization of grapheme layers and graphene bilayers opens up real prospects in the creation of novel photodetectors. The most important advantage of graphene relates to the possibility to control in a wide range the energy gap by patterning of the graphene layer into an array of narrow strips. Considering the properties of graphene and its tunable band gap it can be used to improve the parameters of the phototransistor detector based on bilayer graphene channel. This structure can be used in different range with high sensitivity and ability to work at high temperatures. Bilayer based photodetectors are high quantum efficiency and easily integrated with silicon or graphene circuits. In this thesis, we have studied terahertz detector based on bilayer graphene channel transistor and we've shown detection terahertz range by adjusting the gate voltage in the range of several hundred millivolts. Also, by choosing the appropriate size of graphene transistors and improve the parameters of the structure we can reduce dark current and use it at room temperature. For simulation we have used NEMO5 and NANOTCAD softwares. By using these software we have Drawn the transfer characteristics of the structure in different voltage and dimension and have tried to improve the detection of terahertz range and can be used at room temperature
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
Design and Simulation of an Ultra-Fast Graphene Transistor
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
موثق، بهناز
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Movassagh, Behnaz
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
