فشردهسازی تپهای نوری فوقکوتاه توسط بلورهای فوتونی یکبعدی متشکل از مواد با آستانه تخریب بالا
نام نخستين پديدآور
/رامین شیری
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۶
نام توليد کننده
، افشار
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
دکتری
نظم درجات
فیزیک - گرایش اپتیک و لیزر
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۶/۱۱/۱۸
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
برای دستیابی به تپهای فوقصکوتاه با کمترین پهنای ممکن در لیزرهای حالت جامد قفل مدی، لازم است بر عواملی که این موضوع را محدود میسازند غلبه شود .یکی از مهمترین عواملی که باعث پهنصشدگی زمانی تپ تولید شده میگردد پاشندگی سرعت گروه است که در حوزه فرکانس سبب چرپصدار شدن تپ میشود .این اثر ناخواسته را میتوان با استفاده از یک فشردهساز تپ مناسب که پاشندگی منفی ایجاد میصکند جبران نمود .عامل اساسی دیگری که مانع از دستیابی به توانهای بالا و نیز پایداری طولانی در چنین سیستم های لیزری تپصکوتاه میگردد آستانه تخریب قطعات اپتیکی میباشد .در این رساله، قابلیت بلورهای فوتونی یکصبعدی متشکل از لایههای دیالکتریک با آستانه تخریب بالا در جبران پاشندگی سرعت گروه و درنتیجه فشردهصسازی تپهای نوری فوقصکوتاه مورد بررسی قرار گرفته است .ساختارهای مختلفی از بلورهای فوتونی شامل بلور فوتونی با ضریب شکست پلهصای، بلور دارای نقص غیرخطی و بلور دارای نقص بلور مایع به منظور جبران چرپ تپهای نوری طراحی و شبیهصسازی شدند و سپس مشخصات اپتیکی آنها از قبیل گافصباند نوری، طیف عبور و بازتاب، میزان پاشندگی منفی و رفتار فشردهسازی آنها مورد بررسی قرار گرفت .نتایج نشان داد که برای بلور با ضریب شکست پلهصای دارای الگوی سهموی، تپ خروجی از ساختار به میزان ۴۷ فشرده میصگردد .در مورد ساختار حاوی نقص غیرخطی، تپ گوسی ورودی با پهنای اولیه fs۱۴۰ بدون تغییر محسوسی در شکل گوسی آن تا پهنای fs۷۱ در خروج از محیط فشرده گردید .در بلور فوتونی حاوی نقص بلور مایع نیز، با افزایش دمای لایه نقص، پهنای تپ خروجی نیز کاهش نشان داد بطوریکه ضریب فشردهصسازی تا ۷۸ حاصل شد
متن يادداشت
To achieve ultra-short pulses with durations as short as possible in mode locked solid state lasers, it is necessary to remove the limiting factors. One of the main factors causing temporal broadening of the generated pulse is the group velocity dispersion (GVD) which results in pulse chirp in frequency domain. This unwanted effect can be compensated by using a proper pulse compressor with negative GVD. Another main factor which limits achieving high peak powers and long-term stability in such short-pulse laser systems is damage threshold of the optical elements. In this thesis, the capability of 1D photonic crystals composed of dielectric layers with high damage threshold to compensate group velocity dispersion and hence compression of ultra-short laser pulses has been investigated. Different structures of photonic crystal including graded index, structure with a nonlinear defect and a structure having liquid crystal defect layer were designed and simulated to remove the initial chirp of the laser pulses. Then, their optical properties such as optical band gap, transmission/reflection spectrum, dispersion and compression behavior were investigated. Results revealed that for graded structure with parabolic profile of refractive index, the transmitted pulse was compressed up to 47 . For the structure with nonlinear defect layer, the Gaussian pulse with 0=140 fs was compressed to duration of 71 fs at the output of the medium without considerable change in its profile. In the case of the structure having liquid crystal layer as defect, by increasing the temperature of the defect layer, the duration of the transmitted pulse was decreased correspondingly so that the compression factor of 78 was achieved
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )