عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TK7871.15.S56
TK7871
.
15
.
S56
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک
9789811325717
شابک
9789811325724
شابک
9811325715
شابک
9811325723
شابک اشتباه
9789811325700
شابک اشتباه
9811325707
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Thermoelectrical Effect in SiC for High-Temperature MEMS Sensors /
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
Toan Dinh, Nam-Trung Nguyen, Dzung Viet Dao, authors ; Andreas Oechsner, editor.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Singapore :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer,
تاریخ نشرو بخش و غیره
[2018]
تاریخ نشرو بخش و غیره
©2018
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 online resource
فروست
عنوان فروست
SpringerBriefs in applied sciences and technology
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references.
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
Intro; Preface; Acknowledgements; Contents; 1 Introduction toSiC andThermoelectrical Properties; 1.1 Background; 1.2 Silicon Carbide; 1.3 Growth ofSiC; 1.4 Thermoelectrical Properties; 1.5 High-Temperature SiC MEMS Sensors; References; 2 Fundamentals ofThermoelectrical Effect inSiC; 2.1 Thermoresistive Effect; 2.1.1 Physical Parameters andDefinitions inSemiconductors; 2.1.2 Single-Crystalline SiC; 2.1.3 Polycrystalline SiC; 2.1.4 Amorphous SiC; 2.2 Thermoelectronic Effects; 2.3 Thermocapacitive Effect; 2.4 Thermoelectric Effect
متن يادداشت
2.5 Recent Advances inCharacterisation ofThermoelectrical Effects inSiC atHigh Temperatures2.5.1 Experimental Set-upforCharacterisation ofThermoelectrical Effect; 2.5.2 Thermoresistive Effect inSingle Layer ofSiC; 2.5.3 Thermoelectrical Effect inMulti-layers ofSiC; 2.6 4H-SiC p-n Junctions; 2.7 Other Thermoelectrical Effects atHigh Temperatures; 2.7.1 Thermoelectric Effect; 2.7.2 Thermocapacitive Effect; References; 3 Desirable Features forHigh-Temperature SiC Sensors; 3.1 Sensitivity; 3.2 Linearity; 3.3 Thermal Time Response; 3.4 Low Power Consumption
متن يادداشت
3.5 Stability andOther Desirable FeaturesReferences; 4 Fabrication ofSiC MEMS Sensors; 4.1 Growth andDoping; 4.1.1 Growth ofSiC; 4.1.2 Doping ofSiC; 4.2 Etching ofSiC; 4.2.1 Electrochemical Etching; 4.2.2 Chemical Etching; 4.2.3 Dry Etching orReactive-Ion Etching (RIE); 4.3 Ohmic andSchottky Contacts toSiC; 4.3.1 Ohmic Contact; 4.3.2 Schottky Contact; 4.4 Fabrication Processes ofSiC MEMS Sensors; 4.4.1 Surface Micromachining; 4.4.2 Bulk Micromachining; 4.4.3 Fabrication ofMEMS Device withIntegrated Cooling System; References
متن يادداشت
5 Impact ofDesign andProcess onPerformance ofSiC Thermal Devices5.1 Substrate Influence; 5.2 Doping Influence; 5.3 Morphologies; 5.4 Deposition Temperature; 5.5 Geometry andDimension; References; 6 Applications ofThermoelectrical Effect inSiC; 6.1 Temperature Sensors, Temperature Control/Compensation andThermal Measurement; 6.1.1 Thermistors; 6.1.2 p-n Junction Temperature Sensors; 6.2 Thermal Flow Sensors; 6.2.1 Hot-Wire andHot-Film Flow Sensors; 6.2.2 Calorimetric Flow Sensors; 6.2.3 Time-of-Flight Flow Sensors; 6.3 Convective Accelerometers andGyroscopes
متن يادداشت
6.3.1 Convective Accelerometers6.3.2 Convective Gyroscopes; 6.4 Other Applications; 6.4.1 Combustible Gas Sensors; 6.4.2 SiC MEMS withIntegrated Heating, Sensing andMicrofluidic Cooling; References; 7 Future Prospects ofSiC Thermoelectrical Sensing Devices; 7.1 Novel Platforms ofSiC Films onInsulation Substrates; 7.2 Integration ofSiC Thermoelectrical Devices withOther Materials andDevices; 7.3 SiC Thermal Actuators; 7.4 Challenges andFuture Developments ofSiC Sensing Devices; References
بدون عنوان
0
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
"This book presents the fundamentals of the thermoelectrical effect in silicon carbide (SiC), including the thermoresistive, thermoelectric, thermocapacitive and thermoelectronic effects. It summarizes the growth of SiC, its properties and fabrication processes for SiC devices and introduces the thermoelectrical sensing theories in different SiC morphologies and polytypes. Further, it reviews the recent advances in the characterization of the thermoelectrical effect in SiC at high temperatures. Discussing several desirable features of thermoelectrical SiC sensors and recent developments in these sensors, the book provides useful guidance on developing high sensitivity and linearity, fast-response SiC sensing devices based on thermoelectrical effects."--
یادداشتهای مربوط به سفارشات
منبع سفارش / آدرس اشتراک
Springer Nature
شماره انبار
com.springer.onix.9789811325717
ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه
عنوان
Thermoelectrical Effect in SiC for High-Temperature MEMS Sensors.
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
9789811325700
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Silicon carbide-- Thermal properties.
موضوع مستند نشده
Thermoelectricity.
موضوع مستند نشده
Nanotechnology.
موضوع مستند نشده
Precision instruments manufacture.
موضوع مستند نشده
Silicon carbide-- Thermal properties.
موضوع مستند نشده
Spectrum analysis, spectrochemistry, mass spectrometry.
موضوع مستند نشده
TECHNOLOGY & ENGINEERING-- Mechanical.
موضوع مستند نشده
Thermoelectricity.
مقوله موضوعی
موضوع مستند نشده
TBN
موضوع مستند نشده
TBN
موضوع مستند نشده
TEC-- 009070
رده بندی ديویی
شماره
621
.
38152
ويراست
23
رده بندی کنگره
شماره رده
TK7871
.
15
.
S56
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Dinh, Toan
نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Dao, Dzung Viet
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Nguyen, Nam-Trung
مبدا اصلی
تاريخ عمليات
20200823235355.0
قواعد فهرست نويسي ( بخش توصيفي )
pn
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
