• صفحه اصلی
  • جستجوی پیشرفته
  • فهرست کتابخانه ها
  • درباره پایگاه
  • ارتباط با ما
  • تاریخچه

عنوان
Physics and chemistry of carbon-based materials :

پدید آورنده
Yoshihiro Kubozono, editor.

موضوع
Carbon-- Properties.,Chemistry.,Electrical engineering.,Nanotechnology.,Optical materials.,Surfaces (Physics),Chemistry.,Electrical engineering.,Nanotechnology.,Optical materials.,Surfaces (Physics),TECHNOLOGY & ENGINEERING-- Mechanical.

رده
TA455
.
C3
P49
2019

کتابخانه
مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی

محل استقرار
استان: قم ـ شهر: قم

مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی

تماس با کتابخانه : 32910706-025

شابک

شابک
9789811334177
شابک
9789811334184
شابک
981133417X
شابک
9811334188
شابک اشتباه
9789811334160
شابک اشتباه
9811334161

عنوان و نام پديدآور

عنوان اصلي
Physics and chemistry of carbon-based materials :
نام عام مواد
[Book]
ساير اطلاعات عنواني
basics and applications /
نام نخستين پديدآور
Yoshihiro Kubozono, editor.

وضعیت نشر و پخش و غیره

محل نشرو پخش و غیره
Singapore :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer,
تاریخ نشرو بخش و غیره
[2019]

مشخصات ظاهری

نام خاص و کميت اثر
1 online resource

یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر

متن يادداشت
Includes bibliographical references.

یادداشتهای مربوط به مندرجات

متن يادداشت
Intro; Preface; Contents; 1 Graphite and Intercalated Compound Superconductors: Atomic and Electronic Structures; 1.1 Introduction; 1.2 Graphite Intercalation Compounds (GICs); 1.3 Superconductivity in GICs; 1.4 Superconducting Mechanism of GIC Superconductors; 1.5 Atomic Structure of Graphite and GIC; 1.5.1 Principle of Photoelectron Diffraction and New Holography Algorithm; 1.5.2 Atomic Arrangement Imaging of GIC Cleaved Surface; 1.6 Electronic Structure of Graphite and GIC; 1.6.1 Transition Matrix Elements and Photoelectron Structure Factors; 1.6.2 Valence Band Dispersion of GIC
متن يادداشت
1.7 Future Perspectives of GIC SuperconductorReferences; 2 Physics of Graphene: Basic to FET Application; 2.1 Introduction; 2.1.1 History of Study on Graphene and 2D Electron System; 2.1.2 Extension of Study on Graphene and Future Perspectives; 2.2 Theoretical Aspects; 2.2.1 Crystal Structure; 2.2.2 Band Structure; 2.2.3 Electronic Property; 2.2.3.1 Linear Dispersion Relation; 2.2.3.2 Absence of Back Scattering; 2.2.3.3 Magnetic Field Effect; 2.3 Experimental Aspects; 2.3.1 Fabrication of Graphene FET; 2.3.1.1 Preparation of Graphene; 2.3.1.2 Identification of Graphene
متن يادداشت
2.3.1.3 Preparation of Devices2.3.2 Characteristics of Graphene FET; 2.3.2.1 Output and Transfer Characteristics; 2.3.2.2 Graphene p-n Junction; 2.3.3 Advantages and Disadvantages of Graphene for Device Application; 2.3.3.1 Advantages of Graphene; 2.3.3.2 Disadvantages of Graphene; 2.4 Application of Graphene FET: Carrier Accumulation in Graphene; 2.4.1 Electric Field Effect on Few-Layer Graphene with Ionic Liquid Gate; 2.4.2 Doping Effect on Monolayer Graphene with Electron Transfer Molecules; References; 3 Physics of Heavily Doped Diamond: Electronic States and Superconductivity
متن يادداشت
3.1 Introduction3.2 Electronic States of Diamond; 3.2.1 Crystal Structure and Basic Electronic States; 3.2.1.1 Crystal Structure; 3.2.1.2 Electronic Band Structure; 3.2.2 Semiconducting Behavior and Energy Diagram; 3.2.2.1 Natural Diamond; 3.2.2.2 Impurity Doping to Diamond; 3.2.2.3 Bohr's Hydrogen Atom Model; 3.2.2.4 Comparison with Si in Hydrogen Atom Model; 3.2.2.5 Hydrogen Crystal Model of the NM-M Transition in a Doped Semiconductor; 3.2.2.6 Other Models for NM-M Transition: Mott-Hubbard Model and Anderson Localization; 3.2.2.7 Impurity Concentration Dependence of Electronic State
متن يادداشت
3.2.2.8 Effect of Compensation3.2.2.9 Identification of the Nature of the NM-M Transition; 3.2.2.10 Role of the Impurity Band; 3.2.2.11 Boron-Doped Diamond; 3.3 Superconductivity in Heavily Doped Diamond; 3.3.1 Superconducting Properties; 3.3.2 Theoretical Studies on Electronic Structure and Models for Superconductivity; 3.3.3 Experimental Studies of Heavily Boron-Doped Diamond; 3.3.3.1 Electronic Structure with the Wider Energy Scale; 3.3.3.2 Valence Band Density of States; 3.3.3.3 Valence Band Dispersions; 3.3.3.4 Fermi Surface; 3.3.3.5 Impurity State
بدون عنوان
0
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8

یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده

متن يادداشت
This book includes the fundamental science and applications of carbon-based materials, in particular fused polycyclic hydrocarbon, fullerene, diamond, carbides, graphite and graphene etc. During the past decade, these carbon-based materials have attracted much interest from many scientists and engineers because of their exciting physical properties and potential application toward electronic and energy devices. In this book, the fundamental theory referring to these materials, their syntheses and characterizations, the physical properties (physics), and the applications are fully described, which will contribute to an advancement of not only basic science in this research field but also technology using these materials. The book's targets are researchers and engineers in the field and graduate school students who specialize in physics, chemistry, and materials science. Thus, this book addresses the physics and chemistry of the principal materials in the twenty-first century.

یادداشتهای مربوط به سفارشات

منبع سفارش / آدرس اشتراک
Springer Nature
شماره انبار
com.springer.onix.9789811334177

ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه

عنوان
Physics and chemistry of carbon-based materials.
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
9789811334160

موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)

موضوع مستند نشده
Carbon-- Properties.
موضوع مستند نشده
Chemistry.
موضوع مستند نشده
Electrical engineering.
موضوع مستند نشده
Nanotechnology.
موضوع مستند نشده
Optical materials.
موضوع مستند نشده
Surfaces (Physics)
موضوع مستند نشده
Chemistry.
موضوع مستند نشده
Electrical engineering.
موضوع مستند نشده
Nanotechnology.
موضوع مستند نشده
Optical materials.
موضوع مستند نشده
Surfaces (Physics)
موضوع مستند نشده
TECHNOLOGY & ENGINEERING-- Mechanical.

مقوله موضوعی

موضوع مستند نشده
TEC-- 009070
موضوع مستند نشده
TJFD
موضوع مستند نشده
TJFD

رده بندی ديویی

شماره
620
.
193
ويراست
23

رده بندی کنگره

شماره رده
TA455
.
C3
نشانه اثر
P49
2019

نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )

مستند نام اشخاص تاييد نشده
Kubozono, Yoshihiro

مبدا اصلی

تاريخ عمليات
20200823234419.0
قواعد فهرست نويسي ( بخش توصيفي )
pn

دسترسی و محل الکترونیکی

نام الکترونيکي
 مطالعه متن کتاب 

اطلاعات رکورد کتابشناسی

نوع ماده
[Book]

اطلاعات دسترسی رکورد

تكميل شده
Y

پیشنهاد / گزارش اشکال

اخطار! اطلاعات را با دقت وارد کنید
ارسال انصراف
این پایگاه با مشارکت موسسه علمی - فرهنگی دارالحدیث و مرکز تحقیقات کامپیوتری علوم اسلامی (نور) اداره می شود
مسئولیت صحت اطلاعات بر عهده کتابخانه ها و حقوق معنوی اطلاعات نیز متعلق به آنها است
برترین جستجوگر - پنجمین جشنواره رسانه های دیجیتال