عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
QC611.8.W53 W36 2018eb
QC611
.
8
.
W53
W36
2018eb
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک
1523119349
شابک
1785614924
شابک
9781523119349
شابک
9781785614927
شابک اشتباه
1785614916
شابک اشتباه
9781785614910
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Characterization of wide bandgap power semiconductor devices /
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
Fei (Fred) Wang, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Stevenage, United Kingdom :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Institution of Engineering and Technology,
تاریخ نشرو بخش و غیره
2018.
تاریخ نشرو بخش و غیره
©2018
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 online resource (ix, 333 pages) :
ساير جزييات
illustrations
فروست
عنوان فروست
IET Energy Engineering ;
مشخصه جلد
128
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
Intro; Contents; Biographies; Acknowledgments; 1. Introduction; 1.1. Overview of WBG devices; 1.1.1. WBG devices in comparison to Si devices; 1.1.2. WBG device status; 1.2. Motivation for WBG device characterization; 1.3. About this book; References; 2. Pulsed static characterization; 2.1. Fundamentals of pulsed I-V testing; 2.2. Test equipment description; 2.3. Test fixture selection/design; 2.4. Junction temperature control; 2.5. Cryogenic device testing; 2.6. Pulse waveform timing; 2.7. Output (Id-Vds) characteristic; 2.8. Transfer (Id-Vgs) characteristic
متن يادداشت
2.9. Gate current (Ig, ss-Vgs) characteristic2.10. Drain-source leakage (Id, off-Vds) characteristic; 2.11. Summary; References; 3. Junction capacitance characterization; 3.1. Fundamentals of C-V testing; 3.2. Test equipment description; 3.3. Test fixture selection/design and calibration; 3.4. Output capacitance (Coss) characteristic; 3.5. Input capacitance (Ciss) characteristic; 3.6. Reverse transfer capacitance (Crss) characteristic; 3.7. Gate charge (Qg) characteristic; 3.8. Calculation of Coss-related switching energies; 3.9. Summary; References; 4. Fundamentals of dynamic characterization
متن يادداشت
4.1. Switching commutation analysis4.2. Fundamentals of DPT; 4.3. DPT design; 4.3.1. Load inductor; 4.3.2. DC source; 4.3.3. DC capacitor; 4.3.4. Bleeder resistor; 4.4. DPT control; 4.5. Case study; 4.5.1. Load inductor; 4.5.2. DC source; 4.5.3. DC capacitor bank; 4.5.4. Bleeder resistor; 4.5.5. DPT control; 4.6. Summary; References; 5. Gate drive for dynamic characterization; 5.1. Gate drive fundamentals; 5.2. Gate drive-related key device characteristics; 5.2.1. Gate drive design considering device static characteristics; 5.2.2. Gate drive design considering device dynamic characteristics
متن يادداشت
5.3. Gate drive design5.3.1. Signal isolator; 5.3.2. Isolated power supply; 5.3.3. Gate drive IC; 5.3.4. Gate resistor; 5.3.5. Decoupling capacitor; 5.4. Case study; 5.4.1. Signal isolator; 5.4.2. Isolated power supply; 5.4.3. Gate drive IC; 5.4.4. Gate resistor; 5.4.5. Decoupling capacitor; 5.5. Summary; References; 6. Layout design and parasitic management; 6.1. Impact of parasitics on the switching performance; 6.1.1. Gate loop parasitics; 6.1.2. Power loop parasitics; 6.1.3. Common parasitics; 6.2. DPT layout design; 6.3. Case study; 6.3.1. Brief overview of WBG devices' package
متن يادداشت
6.3.2. Case study 1: TO-247 package SiC MOSFETs6.3.3. Case study 2: surface-mount WBG device; 6.3.4. With consideration of current measurement in DPT; 6.3.5. Gate drive; 6.4. Summary; References; 7. Protection design for double pulse test; 7.1. Overview of state-of-the-art protection scheme for WBG devices; 7.2. Solid-state circuit breaker; 7.2.1. Operation principle; 7.2.2. Circuit implementation and design consideration; 7.2.3. Test setup and procedure; 7.2.4. Case study; 7.3. Consideration for high-voltage WBG device DPT; 7.3.1. Safety consideration; 7.3.2. Protection scheme; 7.4. Summary
بدون عنوان
0
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
بدون عنوان
8
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
This book is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device characterization providing essential tools to assist the reader in performing both static and dynamic characterization of WBG devices, particularly those based on using silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) power semiconductors.
ویراست دیگر از اثر در قالب دیگر رسانه
عنوان
Characterization of wide bandgap power semiconductor devices.
شماره استاندارد بين المللي کتاب و موسيقي
1785614916
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Electric capacity.
موضوع مستند نشده
Power semiconductors.
موضوع مستند نشده
Wide gap semiconductors.
موضوع مستند نشده
capacitance.
موضوع مستند نشده
Electric capacity.
موضوع مستند نشده
network topology.
موضوع مستند نشده
power semiconductor devices.
موضوع مستند نشده
Power semiconductors.
موضوع مستند نشده
semiconductor device models.
موضوع مستند نشده
TECHNOLOGY & ENGINEERING-- Mechanical.
موضوع مستند نشده
wide band gap semiconductors.
موضوع مستند نشده
Wide gap semiconductors.
مقوله موضوعی
موضوع مستند نشده
B0100
موضوع مستند نشده
B1110
موضوع مستند نشده
B2560P
موضوع مستند نشده
TEC-- 009070
رده بندی ديویی
شماره
621
.
38152
ويراست
23
رده بندی کنگره
شماره رده
QC611
.
8
.
W53
نشانه اثر
W36
2018eb
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Wang, Fei (Fred)
نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Jones, Edward A.
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Zhang, Zheyu
مبدا اصلی
تاريخ عمليات
20200823054612.0
قواعد فهرست نويسي ( بخش توصيفي )
pn
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
