عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
QC585 .H54 2012eb
QC585
.
H54
2012eb
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک اشتباه
9783527330324
شابک اشتباه
9783527646371 (e-book)
شماره کتابشناسی ملی
شماره
dltt
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
High-k gate dielectrics for CMOS technology
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
edited by Gang He and Zhaoqi Sun.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Weinheim :
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Wiley-VCH,
تاریخ نشرو بخش و غیره
2012.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xxxi, 558 p. :
ساير جزييات
ill. (some col.)
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
یادداشتهای مربوط به تکثیر
متن يادداشت
Access may be limited to ebrary affiliated libraries.
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
pt. 1. Scaling and challenging of Si-based CMOS -- pt. 2. High-k deposition and materials characterization -- pt. 3. Challenge in interface engineering and electrode -- pt. 4. Development in non-Si-based CMOS technology -- pt. 5. High-k Application in novel devices -- pt. 6. Challenge and directions.
بدون عنوان
0
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Dielectrics.
موضوع مستند نشده
Metal oxide semiconductors, Complementary.
رده بندی ديویی
شماره
538
.
24
ويراست
23
رده بندی کنگره
شماره رده
QC585
نشانه اثر
.
H54
2012eb
نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
He, Gang.
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Sun, Zhaoqi.
نام تنالگان _ (مسئولیت معنوی برابر)
مستند نام تنالگان تاييد نشده
ebrary, Inc.
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
