عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TA418.9.N35
TA418
.
9
.
N35
کتابخانه
محل استقرار
شناسگر استاندارد دیگر
شماره استاندارد
2147
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Nanowire field effect transistorsprinciples and applications
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
New York
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer
تاریخ نشرو بخش و غیره
2014
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 online resource )292 p.(
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
Quantum Wire and Sub-Bands -- Carrier Concentration and Transport -- P-N Junction Diode: I-V Behavior and Applications -- Silicon Nanowire Field Effect Transistor -- Fabrication of Nanowires and their Applications -- Characterization of Nanowire Devices under Electrostatic Discharge Stress Conditions -- Green Energy Devices -- Nanowire Field Effect Transistors in Optoelectronics -- Nanowire BioFETs: An Overview -- Lab On a Wire: Application of Silicon Nanowires for Nanoscience and Biotechnology -- Nanowire FET Circuit Design : An Overview
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
، Field-effect transistors
عنصر شناسه ای
، Nanostructured materials
عنصر شناسه ای
، Nanostructured materials
عنصر شناسه ای
، Nanostructures
عنصر شناسه ای
، Nanotechnology
عنصر شناسه ای
، Nanotubes
رده بندی ديویی
شماره
620
.
5
621
.
3815284
رده بندی کنگره
شماره رده
TA418
.
9
.
N35
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
کد نقش
TI
عنصر شناسه اي
Dae Mann Kim, Yoon-Ha Jeong, editors
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU nnaM eaD ,miK
عنصر شناسه اي
AU aH-nooY ,gnoeJ
شماره دستیابی
نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه
ل‌ا‌ه دیجیت‌ان‌ابخ‌کت
