عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
کتابخانه
محل استقرار
شماره کتابشناسی ملی
شماره
۱۴۲۷۷پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
فارسی
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
بررسی و تنظیم شرایط رسوب لایه نازک ITO در سلول خورشیدی سیلیکن آمورف
نام نخستين پديدآور
/ مریم شکیبا
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: دانشگاه شهیدچمران اهواز، دانشکده مهندسی، گروه برق
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۵
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۹۰ص.
مواد همراه اثر
+همراه سی دی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
دکتری تخصصی
نظم درجات
مهندسی برق (الکترونیک)
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۵/۱۱/۲۱
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
نام خانوادگی: شکیبانام: مریمشماره دانشجویی: 9041907 عنوان پایان نامه: بررسی و تنظیم شرایط رسوب لایه نازک ITO در سلول خورشیدی سیلیکن آمورفاستاد راهنما: دکتر عبدالنبی کوثریاناستاد مشاور: دکتر ابراهیم فرشیدیدرجه تحصیلی: دکتری رشته: برقگرایش: الکترونیکدانشگاه: شهید چمران اهوازدانشکده: مهندسیگروه: برقتاریخ فارغ التحصیلی: 21/11/95 تعداد صفحه: 190کلید واژه¬ها: لایه نازک ITO، سیستم کندوپاش مگنترونی واکنشی مستقیم، توان کندو پاش، فشار کاری، فاصله الکترودها، فلوی جزئی گاز هیدروژن، خصوصیات ساختاری و اُپتوالکتریکی.هدف از این تحقیق، بهبود خصوصیات الکتریکی و اپتیکی لایه نازک ITO به منظور ساخت کنتاکت شفاف سلول خورشیدی سیلیکن آمورف است. بدین منظور، برای قریب به 200 نمونه، شرایط رسوب لایه¬های نازک به روش کندوپاش مگنترونی DC، به کمک ماده هدف ITO، روی زیرلایه شیشه و بدون اعمال حرارت به زیرلایه از طریق منبع خارجی بهبود داده شد. پیش از انجام آزمایشات تجربی، شبیه-سازی پلاسمای آرگون به کمک نرم¬افزار XPDP1، و همچنین شبیه¬سازی فرآیند رسوب در سیستم کندوپاش واکنشی مستقیم، به کمک نرم¬افزارRSD2013، به منظور کسب اطلاعات اولیه از رفتار پلاسمای سیستم کندوپاش، انجام شد. در ادامه، با استفاده از آزمایشات تجربی، بررسی دقیق و گسترده¬ای در رابطه با اثر پارامترهای مختلف از جمله فشار رسوب، فاصله الکترودها، توان رسوب و حضور گاز واکنشی هیدروژن در پلاسمای آرگون، بر خصوصیات لایه نازک ITO انجام شد. در شرایطی که زمان لایه¬نشانی برای همه نمونه¬ها برابر 10 دقیقه در نظر گرفته شده، لایه¬های نازک تهیه شده از نقطه نظر خصوصیات میکروساختاری و اُپتوالکتریکی مورد بررسی قرار گرفتند. در این راستا از سیستم¬های آنالیز XRD، AFM، طیف¬سنجی فرابنفش-مرئی، پروب چهار میله و PL استفاده گردید. طبق نتایج به دست آمده، در صورتی¬که پلاسمای رسوب مخلوط Ar/H2 باشد، نمونه رسوب یافته در توان W 100 ، فشار کاری mTorr 25، فاصله الکترودها برابر با cm 7 =L و در شرایطی که از فلوی جزئی هیدروژن با پروفیل یکنواخت و برابر با sccm 0.1، استفاده شود، دارای کمترین مقاومت ورقه¬ای برابر با 8.34، مقدار متوسط عبوردهی نوری برابر با 81.6% و بیشترین شاخص کیفیت هاک برابر با 3-10×15.7 است.
متن يادداشت
-
اصطلاحهای موضوعی کنترل نشده
اصطلاح موضوعی
پایان نامه دکتری تخصصی
اصطلاح موضوعی
دانشکده مهندسی
اصطلاح موضوعی
مهندسی برق
اصطلاح موضوعی
الکترونیک
اصطلاح موضوعی
لایه نازک ITO، سیستم کندوپاش مگنترونی واکنشی مستقیم، توان کندو پاش، فشار کاری، فاصله الکترودها، فلوی جزئی گاز هیدروژن، خصوصیات ساختاری و اُپتوالکتریکی.
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
شکیبا، مریم
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
کوثریان، عبدالنبی، استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
فرشیدی، ابراهیم، استاد مشاور
مبدا اصلی
کشور
ایران
شماره دستیابی
شماره بازیابی
پ،۱۴۲۷۷،م،۱۳۹۵
وضعیت انتشار
فرمت انتشار
p
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
TF
کد کاربرگه
92029
پیشوند ISBD اعمال شده است
1
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
