1. Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
پدیدآورنده :
کتابخانه: کتابخانه زبانهای خارجی و منابع اسلامی (قم)
موضوع : Integrated circuits -- Very large scale integration -- Simulation methods -- Congresses,Metal oxide semiconductors -- Simulation methods -- Congresses,مدارهای مجتمع -- مجتمعسازی در مقیاس بسیار بزرگ -- شبیهسازی -- کنگره ها,نیمه هادیهای اکسید فلزی -- شبیهسازی -- کنگره ها
رده :
E-Book
,
2. Process and device simulation for MOS-VLSI circuits
پدیدآورنده : NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits )2891 : Urbino, Italy(
کتابخانه: كتابخانه پژوهشگاه نیرو (تهران)
موضوع : ، Integrated circuits- Very large scale integration- Simulation methods- Congresses,، Metal oxide semiconductors- Simulation methods- Congresses
3. Process and device simulation for MOS-VLSI circuits
پدیدآورنده : edited by Paolo Antogentti...)et al.(
کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه فردوسی مشهد (خراسان رضوی)
موضوع : Very large scale integration - Simulation methods - Congresses ، Integrated circuits,Metal oxide simulation methods - Congresses
رده :
TK
7874
.
N343
1982
