1. SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
پدیدآورنده : / edited by John D. Cressler
کتابخانه: کتابخانه مرکزی، مرکز اسناد و تامین منابع علمی دانشگاه صنعتی سهند (آذربایجان شرقی)
موضوع : Bipolar transistors--Materials,Heterostructures.,Silicon--Electric properties,Epitaxy.
2. Silicon quantum integrated circuits: silicon-germanium heterostructure devices : basics and realisations
پدیدآورنده : Kasper, Erich.
کتابخانه: كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتي شريف (تهران)
موضوع : ، Nanotechnology,، Integrated circuits-- Design and construction,، Silicon,، Quantum electronics,، Silicon alloys-- Structure,، Germanium,، Germanium alloys-- Structure,، Heterostructures,، Semiconductors
رده :
T
174
.
7
.
K37
2005
3. Strained silicon heterostructures
پدیدآورنده : edited by C.K.Maiti, N.B.Chakrabarti and S.K.Ray
کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اسناد دانشگاه شهید مدنی آذربایجان (آذربایجان شرقی)
موضوع : Heterostructures,Semiconductors,silicon
رده :
TK
,
7871
.
85
,.
S87