1. Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
پدیدآورنده: Lundstrom, Mark
کتابخانه: كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتی شریف (تهران)
موضوع: ، Nanotechnology,، Metal oxide semiconductor field-effect transistors-- Mathematical models,، Nanostructured materials-- Mathematical models
رده :
T
174
.
7
.
L86
2006
2. Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
پدیدآورنده: / Mark S. Lundstrom, Jing Guo.,لاندستروم,Lundstrom
کتابخانه: سازمان اسناد و كتابخانه ملی جمهوری اسلامی ایران (تهران)
موضوع: نانوتکنولوژی,ترانزیستورهای ام. او . اس با اثر میدان,موادنانوساختار, -- الگوهای ریاضی, -- الگوهای ریاضی
رده :
T
۱۷۴
/
۷
/
ل
۲
ن
۲ ۱۳۸۵
3. Nanoscale Transistors: Device physics, modeling and simulation
پدیدآورنده: Mark S. Lundstrom, Jing Guo
کتابخانه: كتابخانه مركزی و مركز اطلاع رسانی دانشگاه شاهد (تهران)
موضوع: Metal oxide Semiconductor field-effect,Transistors -- Mathematical models,Nanostructured materials - Mathematical models,Nanotechnology
رده :
T
،
174
.
7
،.
L86
،
2006
