مطالعة تأثیر دما بر روی خواص نوریLED های نانوساختارهای نیتریدی
نام نخستين پديدآور
/سارا شیشهچی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۰۶ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
بصورت زیرنویس
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فوتونیک-الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۸/۱۲/۲۵
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیتریدی میتوانند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کنند .نیمه هادی های نیتریدی گروه III و آلیاژهای آنها، که به علت داشتن باند انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند، در گسیل های نوری، گذار نوری مستقیم دارند که بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات با توان و بهره بالا میباشند .وقتی که قطعات نوری در شرایط نایکسان قرار میگیرند، دمای محیط تغییر میکند .از آنجایی که توزیع حاملین، نقاط نقص، انتشار حاملین و بسیاری متغیرهای دیگر وابسته به دما هستند .اثر دما بر روی مشخصههای دیود نور گسیل بسیار مهم است، با این وجود مطالعات محدودی در این زمینه صورت گرفته است .برای بررسی این اثرات، باید تأثیر تغییرات دمایی بر روی خواص نوری و الکتریکی دیودهای نور گسیل مورد مطالعه قرار گیرد .در این پایان نامه، یک دیود نور گسیل نیتریدی با ساختار نامتجانس برای بررسی در نظر گرفته شده است، به طوری که در گذار از تراز پایهی الکترون به تراز پایهی حفره، نور گسیل شده در محدودهی بنفش است .ناحیهی فعال این دیود شامل ۳ سد و ۲ چاه کوانتومی میباشد .با استفاده از روشهای عددی تفاضل محدود و نیوتون-رافسون، معادلات لازم برای شبیه سازی ناحیهی فعال دیود نور گسیل به صورت الگوریتم خودسازگار محاسبه شدند .پس از شبیه سازی پارامترهایی از جمله بازترکیب نوری، بازترکیب غیر نوری و بهرهی کوانتومی داخلی به دست آورده شدند .با تغییر دما، تغییرات قابل ملاحظهای در پارامترهای بهدست آمده مشاهده شد .با افزایش دما، بازترکیب نوری و غیر نوری افزایش مییابند اما بهرهی کوانتومی داخلی افت پیدا میکند
متن يادداشت
radiative recombination increase but, the internal quantum efficiency decreases-radiative recombination and internal quantum efficiency have been calculated. Finally, the effect of temperature has been investigated. By increasing the temperature, radiative and non-structural LED which contains three barriers and two quantum wells, is considered to be simulated. If there is a transition through the first energy level of the electron to the first energy level of the hole, the emitted light would be violet. Using the numerical methods, the required equations for simulating the active layer of a LED have been solved self consistently. Then, parameters such as radiative recombination, non-efficiency optoelectronic devices. When optoelectronic devices are operated in dissimilar categories, the environmental temperature usually fluctuates. Since the migration of dislocations, the diffusion of carriers and carrier concentration strongly depend on the temperature, thermal effects on LED performances are a very important technical issue. Nevertheless, there has been little investigation of these effects. In order to study the effects of temperature, the effect of thermal fluctuations on the optical characteristics of the LEDs must be investigated. In this thesis, a nitride hetero-power and high-Nitride semiconductors and their alloys, which have great thermal stability due to a large binding energy, exhibit a direct band transition for optical emission; they thus have great potential for application in high-based optoelectronic devices emit over a broad spectral range from infrared to ultraviolet. III-GaN
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )