بررسی اثر شکل هندسی نانوساختارهای نقطه کوانتومی بر روی ساختار الکترونیکی آنها
نام نخستين پديدآور
/هاجر کاویانی باغبادرانی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۱۲ص .
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک حالت جامد و الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۷/۱۱/۲۷
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
در حال حاضر نانو ساختارهای نقطهصی کوانتومی کاربرد وسیعی در فناوری نانو بویژه برای کاربردهای نوری پیدا کردهصاند .به عنوان مثال آن-ها خواص نوری ممتازی برای استفاده در دیودصهای لیزری، تقویت کنندهصها و حسگرهای زیستی دارند .در واقع ساختار الکترونیکی این سیستمصها نقش مهمی در چگونگی کاربرد آن ایفا میصکند .بررسی-های اخیر نشان میصدهد که خواص الکترونیکی نقاط کوانتومی بطور قابل توجهی بستگی به شکل هندسی آنصها دارد .نقاط کوانتومی شکلصهای مختلفی از قبیل مکعبی، استوانهصای، هرمی، مخروطی و ...را شامل میصشوند .در این پایان نامه برای مطالعهصی وابستگی توابع موج وحالتصهای الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs/GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می-شود .شکلصهای نقطه کوانتومی مورد بررسی مکعب، استوانهصای و هرمی و هرم ناقص میصباشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایهصی تقریب جرم موثر و بهصروش بسط موج تخت است .نتایج محاسبات نشان دهندهصی تاثیرات زیاد شکل و اندازه ی نقاط کوانتومی بر ساختار الکترونیکی آنصها میصباشد .همچنین خواص نوری نقاط کوانتومی برای ساختارهای با اشکال متفاوت بررسی شدهصاست .از جملهصی این خواص میصتوان به ضریب جذب نوری و قدرت نوسان کنندگی اشاره کرد .نتایج نشان میصدهد که قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقالات بین ترازی به پارامترهای سیستم وابسته بوده و با افزایش حجم قدرت نوسان کنندگی افزایش میصیابد و ضریب جذب یک جابجایی انرژی به سمت انرژیصهای پایین را نشان میصدهد .
متن يادداشت
.In this study a three-dimensional model is formulated to investigate the dependence of electronic states and wave functiones of InAs/GaAs quantum dots on shape and size variation. The QD shapes considered are cuboid, cylindrical and pyramidal,truncated pyramid shaped. Our model relies on the effective mass approximation and plane wave expansion method for the electronic structure, respectively. It has been found that the dot shape and size of QDs have a significant effect on its electronic structure. almost optical absorption and oscillator estrenght of confined electrons in InAs/GaAs quantum dots are calculated.. Our results represent that the electronic structure, oscillator strength and the interband optical absorption are dependent on the structural parameters where with increasing of volume, energy optical absorption decreases and oscillator strenght increases .۵,Quantum dots nanostructure have very application in nanotechnology. Quantum dots are particularly significant for optical applications due to their theoretically high quantum yield. For example they have superior transport and optical properties, and are being researched for use in diode lasers, amplifiers, and biological sensors. So it has been expected that quantum dot lasers to have better properties than quantum well lasers.In fact the electronic structure of this systems play an important role in their application. Last investigations show that QDs electronic structure depend to their geometry shapes, considerably where they involve different shapes, such as cuboid, pyramid, cylinder, lens,cone
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )