عنوان

مطالعه‌ی اثر نقص بر جابه‌جایی گوس‌هانچن در بلورهای فوتونی یک‌بعدی در حضور متاماده

شماره

‭۱۲۶۵۱پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

مطالعه‌ی اثر نقص بر جابه‌جایی گوس‌هانچن در بلورهای فوتونی یک‌بعدی در حضور متاماده

نام نخستين پديدآور

/هدایت پورآسیاب

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: دانشکده فیزیک

نام خاص و کميت اثر

‮‭۹۶‬ص‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

در رشته‌ی فیزیک لیزر

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۹۲/۱۱/۱۶‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز

متن يادداشت

متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند .حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است .به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماده را بر جابجایی گوس هانچن مطالعه نمودیم .بلور فوتونیکی مورد مطالعه به شکل یک بعدی نیمه بینهایت، و تمامی لایه‌ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است .مطالعات ما در در ناحیه فرکانسی ریز موجی انجام گرفته است که برای این ناحیه فرکانسی، مرتبه مقداری ثابت شبکه بلور فوتونی از مرتبه سانتی‌متر است .ابتدا با استفاده از تحریک امواج سطحی پسرو و پیشرو در بلور فوتونیکی بدون نقص و با حضور متاماده، وجود جابه‌جایی گوس-هانچن مثبت و منفی را مشاهده کردیم .سپس با اعمال یک لایه نقص در ساختار تناوبی و ثابت ماندن تمامی پارامترها، جابجایی‌های گوس-هانچن را برای محل‌های مختلف نقص و همچنین ضخامت های متفاوت لایه نقص بررسی نمودیم .مشاهده کردیم که به ازای محل‌های مختلف لایه نقص بیشینه جابجایی گوس-هانچن در زوایای تابش متفاوت باریکه گوسی رخ می‌دهد .به طوری که این زوایای تابش در مورد امواج پیشرو با دور شدن لایه نقص از سطح بلور از مقادیر بزرگ کاهش یافته و به مقدار نظیر بدون نقص میل می‌کند و در مورد امواج پسرو با دور شدن لایه نقص از سطح بلور از مقادیر کم افزایش یافته و به مقدار نظیر بدون نقص میل می‌کند

متن يادداشت

Hanchen shift for different position of defect layer takes place in different incident angles of Gaussian beam. So that these angles in the case of forward waves decrease from high values toward the angle corresponding to without defect layer case by removing the defect layer from surface of crystal. And backward waves increase from low values toward the angle corresponding to without defect layer case by removing the defect layer from surface of crystal-Hanchen shift. We have observed that the maximum Goos- dimensional for simplicity, and it was chosen that all the containing media are lossless, homogeneous, and isotropic. Our studies were performed in the microwave regionwhere the order of magnitude of lattice constant of photonic crystal is in the order of centimeter. In this paper at first we study excitation of the forward or backward surface waves in photonic crystal without defect layer and in the presence of metamaterial, and have observed positive and negative Goos-infinite, one-Hanchen shift. The photonic crystal was assumed to be semi-Left handed metamaterials are artificial materials in which both of their parameters, permittivity and permeability are negative simultaneously then refractive index of them is negative. Presence of these materials in photonic crystals structures causes interesting optical phenomena. For this reason we have studied the effect of defect layer in structure containing metamaterial on the Goos

مستند نام اشخاص تاييد نشده

پورآسیاب، هدایت

مستند نام اشخاص تاييد نشده

نامدار، عبدالرحمن، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

روشن انتظار، صمد، استاد مشاور

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی