شماره کتابشناسی ملی
شماره
۷۶۰۱پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
محاسبه ساختار نواری و چگالی حالتهای AlN در فاز ورتسایت با استفاده از روشLAPW-. FP
نام نخستين پديدآور
/سعیده محمدزاده
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: دانشکده فیزیک
نام توليد کننده
، فرخی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۹۵ص.
يادداشت کلی
متن يادداشت
زبان چکیده: فارسی ولاتین
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
رشته فیزیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۴/۰۲/۲۵
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
ترکیبات گروه سوم نیتریدها در ساختار بلوری نوع ورتسایت متبلور می شوند .این مواد بعلت ساختار باندی مستقیم و گاف انرژی بالا) از eV ۹/۱ برای InN تا eV ۱/۶ برای AlN در دمای اتاق ( کاربردهای وسیعی در ساخت قطعات اپتیکی در ناحیه مرئی و فرابنفش پیدا کرده اند .بعلت کاربرد گسترده آنها ، شناخت دقیق از ساختار الکترونی این مواد دارای اهمیت ویژه ای می باشد .این کار پژوهشی به بررسی ساختار الکترونی AlN در فاز ورتسایت و با استفاده از روش خودسازگار پتانسیل کامل با امواج تخت تعمیم یافته خطی ، تحت تقریب چگالی موضعی اختصاص یافته است .نتایج این پژوهش ، نمودارهای مربوط به چگالی حالتهای کلی و جزئی ، جزئیات ساختار نواری ، چگالی توزیع بار Al و N و همچنین پارامترهای جرم مؤثردر ترکیب AlN را به دست می دهند .نتایج به دست آمده در مورد مشخصات ساختار نواری توافق بهتری را نسبت به نتایج تجربی در مقایسه با سایر نتایج نظری نشان می دهند .
متن يادداشت
The group-III nitrides compounds are usually crystallized in the wurtzite-type crystal structure. Due to their direct band gap structure (ranging from 1.9 eV for InN to 6.2 eV for AlN at room temperature); these materials have found a large applications in optical devices used in visible and ultraviolet regions. In this work we have studied the electronic structure of AlN in wurtzite phase by using a self consistent full-potential linearized augmented plane wave method, within the local density approximation. We have obtained the total and partial densities of states, band structure details, charge densities distribution around Al and N and also the effective masses parameters in AlN compound. Our results about the band structure parameters show a better agreement with experimental values compared with those obtained through other theoretical methods.
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
محمدزاده، سعیده
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
کلافی،منوچهر، استادراهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
رضایی،بهروز، استادمشاور
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
