شماره کتابشناسی ملی
شماره
۶۶۸۸پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
مطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای InSb نوع n در محدوده دمایی۴۰۰) - (۹۰درجه کلوین
نام نخستين پديدآور
/مهدی مومنی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: دانشکده فیزیک
نام توليد کننده
، فرخی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۱۱ص.
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
فاقداطلاعات کافی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
رشته فیزیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۱/۰۶/۲۵
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
نیمرسانای InSb از نیمرساناهای گروهIII - Vدارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می‌باشد .از این ترکیب می‌توان در ساخت آشکار سازهای، مادون قرمز در محدودة طول موجی۱۰ - ۵میکرون و هم چنین به عنوان گوس متر برای اندازه‌گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود .با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهم کنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می‌شود که نتیجه آن غیرسهمی بودن باندهای انرژی است .پس از برش تک بلور InSb از نوع n به قطعات کوچکتر و سایش و صیقل زنی آنها ، نمونه هایی با ابعاد معین آماده شدند . برخی از خواص الکتریکی نمونه ها از قبیل رسانندگی الکتریکی ، مقاومت مخصوص ، ضریب هال ، مقاومت مغناطیسی و تحرک حاملهای بار) الکترونها (در دماهای مختلف مورد بررسی قرار گرفت .نمودار تغییرات بر حسب برای نمونه ها همانند مشخصه یک نیمرسانای نوعی است که علاوه بر دارا بودن رسانش ذاتی دارای رسانش غیر ذاتی) ناخالصی (نیز می باشد . با بررسی این نمودار در محدوده دماهای پائین و بالا و محاسبه شیب منحنی ، گاف انرژی InSb برآورد گردید . مقدار تجربی بدست آمده برای گاف انرژی است . با توجه به باریک بودن گاف انرژی ، یونش ناخالصی ها در دماهای پائین اتفاق می افتد که خارج از محدوده دمایی ما است . در نتیجه انرژی یونش اتمهای ناخالصی) دهنده ها (قابل اندازه گیری نیست . با اندازه گیری ضریب ثابت هال در میدانهای مغناطیسی کوچک (۳۵۰۰ گوس (در دمای اتاق مقدار حاصله برای چگالی الکترونی است . بررسی تغییرات مقاومت مغناطیسی برحسب میدانهای مغناطیسی مختلف نشان می دهد که در میدانهای مغناطیسی پایین مقاومت مغناطیسی باودر میدانهای مغناطیسی متوسط با متناسب است و در میدانهای بالاتر مقدار مقاومت مغناطیسی به حالت اشباع می رسد .
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
مؤمنی، مهدی
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
بیدادی، حسن، استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
صالحپور،بهروز، استاد مشاور
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
