آشکارسازی سیگنالهای ماورای بنفش با استفاده از نانو ساختارهای سیلیکونی و چاه کوانتومی
نام نخستين پديدآور
/محمدمهدی لیلاییون
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: مهندسی فناوریهای نوین
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۲۵ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسیارشد
نظم درجات
مهندسی نانوالکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۰/۰۶/۱۹
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
گسترده بررسی شده و دینامیک انتقال حاملصها در شرایط تابش نوری بحث شده و پس از آن شبیه سازی شده است .علاوه بر این نشان داده شده است که با تغییر اندازهصی میدان الکتریکی و نیز با تغییر شدت تابش فوتونصهای ورودی در این پایاننامه، برای اولین بار ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش مبتنی بر نانو کریستالصهای سیلیکونی که قادر به تشخیص دو طول موج مختلف میصباشد، شبیهصسازی گردیده است .ناحیهصی فعال این آشکارساز یک ساختار تونلی رزونانسی بر مبنای چاهصهای کوانتومی سیلیکون می-باشد .ساختار چند لایهصی رزونانس تونلی به گونهصای طراحی گردیده است که احتمال تونلصزنی حاملصها در طول موجصهای متناظر با پیک جذب نوری به حداکثر برسد و برای سایر طول موجصها به مقدار صفر میل نماید .پروسه ی فرار حاملصها از درون چاه های پتانسیلی به صورت ، قابلیت تحرک حاملصها تغییر میصنماید .هنگامی که چگالی حاملصهای تولیدی پایین میصباشد، این تغییرات زیاد قابل توجه نمیصباشند اما هنگامی که چگالی حاملصهای تولیدی افزایش میصیابد، دینامیک انتقال حاملصها تغییر میصکند .همچنین ضریب جذب را به صورت تابعی از طول موج فوتون تابشی به دست آوردهایم، که نتایج بدست آمده صحت گفتهصهای ما را در بخش ابتدایی تایید میصنماید .در ادامه پارامترهای آشکارسازی دیگر از قبیل بازدهصکوانتومی، نویز، تابناکی و ضریب آشکارسازی را محاسبه میصنماییم و نتایج آن را با دیگر ساختارهایی از این نوع مقایسه میکنیم .
متن يادداشت
In the present study, for the first time, we have investigated, theoretically, the properties of a novel dualband Si QW UV photodetector design in which a resonant tunneling heterostructure is incorporated within the active region. The resonant tunneling multibarrier is so designed that the electron tunneling probability is unity at an energy coincident with the peak detection wavelength (photogenerated carriers). The dynamics of the carrier sweep-out process in a multibarrier structure is affected when carriers are excited in the device. Changes in the carrier mobilities and in the carrier escape times from the wells are induced by changes in the electric field and intensity of photon illumination. When the density of photo-excited carriers is low, these changes will be of little importance. At higher densities, changes in the afore-mentioned parameters can significantly affect the dynamics. We consider the effect of these parameters by introducing a model which is not only capable of solving Schrodinger-Poisson-photo (or dark) tunneling current equations self-consistently, but which allows the shape of the insulating barrier defined by the arbitrarily number of Si quantum wells.
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )