مدل سازی، تحلیل وشبیه سازی خواص نوری شبهکریستال های فوتونیکی
نام نخستين پديدآور
/سامیه مطلوب
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکدة مهندسی برق و کامپیوتر، گروه مهندسی الکترونیک
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۴۰ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
واژه نامه بصورت زیرنویس
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
نظم درجات
الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۸۹/۰۶/۲۵
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکدة مهندسی برق و کامپیوتر، گروه مهندسی الکترونیک
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
شبهکریستالهای فوتونیکی با توجه به ویژگیهای برجستهای که در زمینة کنترل نور داشتهاند، در چند دهة اخیر مورد توجه محققان در رشتة فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است .این ساختارها ویژگیها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستالهای فوتونیکی به نمایش میگذارند، که ناشی از درجة آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است .از جمله مشخصات مهم وبارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایزوترپ برای ساختارهائی با اختلاف دیالکتریک پایین است، که ناشی از تقارن دورانی بسیار بالای این ساختارها میباشد برای تعیین مشخصههائی که برای توصیف انتشار نور به کار میرود، تاکنون از روشهای آنالیز عددی برای مدلسازی و تحلیل ساختارهای شبهکریستال فوتونیکی استفاده نمودهاند .در صورتی که بر این باوریم که مطالعة تحلیلی بر مبنای اعمال برخی تقریبها، برای ارزیابی خواص نوری این ساختارها کارآمدتر است .یکی از اهداف این پایاننامه، استخراج ساختار باندو پروفایل توزیع میدان الکترومغناطیسی در ساختارهای شبهکریستال فوتونیکی، با استفاده از روش معروف و شناخته شدة تئوری اختلالاست، که تا بحال برای استخراج مشخصههای شبهکریستال فوتونیکی، مطالعهای مبتنی بر این روش صورت نپذیرفتهاست برای دستیابی به این هدف، ثابت دیالکتریک را برای چنین ساختارهائی به صورت ریاضیمدلسازی نموده و مفهوم مشابهی با منطقة بریلیون را برای این ساختارها، با عنوان منطقة شبه- بریلیون معرفی خواهیم نمود و نهایتا با استفاده از روش تحلیلی تئوری اختلال، ساختار باند و پروفایل میدان متناظر با ساختار باند که حاوی ام اطلاعات مورد نیاز برای طراحی مدارات مجتمع نوری بر اساس چنین ساختارهائی است، بدست خواهد آمد .نشان داده خواهد شد که خطای ایجاد شده به خاطر اعمال تقریب ناشی از تئوری اختلال در مقایسه با روش دقیقFDTD ، در حدود۲ - ۳میباشد.همچنین مشخص خواهیم نمود، چگونه ساختار باند فوتونیکی و شکاف باند متناظرش با تغییرات اختلاف دیالکتریک، متأثر خواهد شدبررسی تحقیقات انجام یافته نشان میدهد که در زمینة توسعة ادوات فوتونیکی جدید، مطالعات چشمگیری در یافتن روشی برای کنترل ویژگیهای شبهکریستالهای فوتونیکی، صورت پذیرفته است .در این راستا، ساختارهای ناهمگون مبتنی بر شبهکریستالهای فوتونیکی، نویدبخشی برای تبدیل شبهکریستالهای فوتونیکی به ادوات کاربردی میباشند .ساختارهای ناهمگون مبتنی بر شبهکریستال فوتونیکی، از ترکیب حداقل دو نوع ساختار که دارای ساختار باندی متفاوتی میباشند،ساخته شدهاند .یکی از روشهای مدلسازی ساختارهای ناهمگون کریستال فوتونیکی، بر اساس روش تحلیلی تقریب پوش میباشد .در این پایاننامه مشابه روش بکار رفته برای ساختارهای ناهمگون کریستال فوتونیکی، از روش تقریب پوش برای تحلیل و مدلسازی ساختارهای ناهمگون مبتنی بر شبهکریستال فوتونیکی استفاده خواهیم نمود .با معلوم بودن ساختار باند و پروفایل مدهای ساختار شبهکریستال فوتونیکی، میتوان با استفاده از معادلة تقریب پوش، پارامتری مشابه جرممؤثردر نیمههادیها، را برای شبهکریستال فوتونیکی محاسبه نمود و سپس به جای ساختار مادة همگنی با جرممؤثر محاسبه شده جایگزین نمود و با استفاده از روش تقریب پوش مشخصات ساختارهای ناهمگون پیچیدهتر را محاسبه نمود.تاکنون از این روش برای استخراج خواص نوری ساختارهای ناهمگون مبتنی بر شبهکریستال فوتونیکی استفاده نشده است و برای اولین بار در این پایاننامه مورد مطالعه و بررسی قرار خواهد گرفت .به عنوان کاربردی از روش ارائه شده، موجبر نوری مبتنی بر شبهکریستال فوتونیکی در نظر گرفته خواهد شد .هدفمان این است که خواص نوری موجبر مبتنی بر شبهکریستال فوتونیکی را به مشخصة پاشیدگی ساختارهای سازندة موجبر مرتبط سازیم .برای نیل به این مقصود، تکنیک تقریب پوش به ساختار اعمال میشود و فرکانسهای مجاز برای هدایت و پوش میدان را بدست میآید .نشان داده خواهد شد که مدهای مجاز برای هدایت حتی در حالتی که ضریبشکست مؤثر هسته کوچکتر از پوسته است، مشابه موجبرهای کریستال فوتونیکی، وجود خواهد داشت
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )