عنوان

شبیه سازی و طراحی مدولاتورهای الکترو جذبی در ساختارهای نانو کریستال

شماره

‭۲۶۲۰پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

شبیه سازی و طراحی مدولاتورهای الکترو جذبی در ساختارهای نانو کریستال

نام نخستين پديدآور

/حامد باغبان اصغری نژاد

نام ناشر، پخش کننده و غيره

تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده مهندسی برق، الکترونیک

نام خاص و کميت اثر

‮‭۱۱۴‬ص‬

متن يادداشت

چاپی

متن يادداشت

واژه نامه بصورت زیرنویس

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

برق، الکترونیک

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده مهندسی برق، الکترونیک

متن يادداشت

در این پروژه به تحلیل و شبیه سازی مدولاتورهای الکتروجذبی می پردازیم .این نوع مدولاتورها از نوع ‮‭External‬ هستند و در آنها از پدیده‮‭Absorption - Electro‬برای انجام عمل مدولاسیون استفاده می شود .برای نوع ماده، از نیمه هادیهای ‮‭Heterostructure‬مانند ‮‭AlGaAs/GaAs‬ و ‮‭AlGaN/GaN/AlN‬ به صورت چاه کوانتومی و نقطه کوانتومی استفاده می شود .اساس مدولاسیون در این ساختارها استفاده از میدان الکتریکی بایاس کننده است که باعث تغییر قله جذب می شود .با تغییر پیک جذب، شدت نور خروجی در طول موج داده شده) ورودی (متغیر خواهد بود که نوع تغییر را میدان الکتریکی تعیین می کند.بنابراین با اعمال میدان الکتریکی پیک جذب اندکی جابجا می شود و میدان نور ورودی در اثر عبور از این محیط، مقدار ‮‭Transmission‬ وابسته به میدان خواهد داشت .بر این اساس مدولاتور شدت طراحی می شود .برای این کار ابتدا پروسه های نوری دخیل در نیمه هادیهای به صورت ‮‭well‬ و ‮‭dot‬ شبیه سازی می گردد و پس از بدست آوردن ویژگیهای ساختار، ضریب جذب ساختار محاسبه میشود و اثر میدان الکتریکی روی مدولاسیون نور بررسی می شود .همچنین به منظور افزایش جذب، ساختارهای جدیدی ارائه شده است .برای بررسی ویژگی های غیر خطی ساختارهای ارائه شده، در قسمتی از این پروژه خواص غیر خطی مرتبه دوم و مرتبه سوم این ساختارها نیز بررسی و بهبود داده شده است

متن يادداشت

In this project we analyze and simulate Electro-Absorption modulators in semiconductor nano structures. These modulators are external type modulators and the electro-absorption phenomenon is used to do the modulation. The considered material in this project are AlGaAs/AlAs and AlGaN/GaN/AlN quantum wells and quantum dots. The modulation principle is based on using an external modulating electric field which changes the absorption peak. By changing the absorption peak, the amplitude of output light in the given wavelength (input) will be variable. The kind and shape of variations is determined by external field. So, applying the electric field, shifts the absorption spectra and the transmission rate of the input light will be a function of the electric field. This is the way that amplitude modulators are designed. In this way, first the optical processes involved with semiconductor quantum well or dot structures are simulated and after obtaining the optical properties of the structure, the absorption coefficient is calculated and effect of external field on the light modulation, is investigated. In order to increase the absorption coefficient, new structures have been proposed. At last, nonlinear optical properties of the proposed structures have been investigated and second order and third order nonlinear susceptibilities have increased due to the structures

مستند نام اشخاص تاييد نشده

باغبان اصغری نژاد، حامد

مستند نام اشخاص تاييد نشده

رستمی، علی، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

ظریفکار، عباس، استاد مشاور

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی