شماره کتابشناسی ملی
شماره
۲۲۸۹۳پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
مطالعه ترانزیستورهای اثر میدان نیتریدی به‌عنوان سنسور دزیمتری تشعشع
عنوان اصلي به زبان ديگر
Nitride based FETs as Dosimetric Radiation Sensor
نام نخستين پديدآور
/فرشید سلیمانی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۹
نام توليد کننده
، راشدی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۳۰ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فوتونیک گرایش الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۹/۰۴/۱۰
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
ترانزیستور اثر میدان به‌عنوان یکی از مهم‌ترین ابزارهای دزیمتری تشعشع است که با توجه به قابلیت مجتمع سازی در مدارات مجتمع توجهات فراوانی را به خود جلب کرده است و پژوهش‌صهای فراوانی به‌منظور افزایش دقت و حساسیت این افزاره صورت گرفته است .یکی از روش‌صهای افزایش حساسیت پذیری ماسفت در مقابل تابش‌صهای یونیزان استفاده از لایه اکسید دوگانه در گیت است .در کار پژوهشی حاضر با ارائه یک مدل تحلیلی برای برهمکنش میان تابش یونیزان و ماسفت درصدد بررسی این پدیده به‌صورت تحلیلی برآمده‌صایم .بدین منظور ابتدا مدل تحلیلی خود را برای یک ماسفت استوانه‌صای با اکسید گیت منفرد اعمال کرده‌صایم و سپس با اضافه کردن یک‌لایه نیتریدی به گیت، مدل موردنظر را برای شرایط جدید به وجود آمده یعنی ماسفت با اکسید گیت دوگانه، گسترش داده‌صایم .سپس برای بررسی مزیت نسبی ماسفت با اکسید گیت دوگانه در سنجش تابش‌صهای یونیزان، نمودارصهای پتانسیل سطح، ولتاژ آستانه و حساسیت پذیری که به‌صورت تحلیلی به دست آورده‌ایم را برای هر دو مدل مذکور رسم کرده و مورد مقایسه قرار داده‌ایم
متن يادداشت
The field effect transistor is one of the most important radiation detection tools that has attracted a lot of attention due to the ability to integrate in integrated circuits, and a lot of research has been done to increase the accuracy and sensitivity of this software. One way to increase the sensitivity of MOSFET to ionizing radiation is to use a double oxide layer in the gate. In the present research work, by presenting an analytical model for the interaction between ionizing radiation and MOSFET, we have tried to investigate this phenomenon analytically. To do this, we first applied our analytical model to a cylindrical MOSFET with a single gate oxide, and then expanded the model to the new condition by adding a nitride layer to the gate, that is, a MOSFET with a double gate oxide. Then, to examine the relative advantage of MOSFET with dual gate oxide in measuring ionizing radiation, we plotted the surface potential diagrams, threshold voltage, and sensitivity that we obtained analytically for both models
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
Nitride based FETs as Dosimetric Radiation Sensor
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
سلیمانی، فرشید
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Soleymani, Farshid
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
استاد مشاور
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
