شماره کتابشناسی ملی
شماره
۲۱۱۳۸پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
طراحی ومدل سازی آشکارسازهای نانوفتونیکی باند باریک مبتنی بر اثر فوتو - ترموالکتریک
عنوان اصلي به زبان ديگر
modeling and design of narrow band photodetector based on photo-thermo electric effect
نام نخستين پديدآور
/علی ولیزادگان ارجمند
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فناوریهای نوین
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۷
نام توليد کننده
، افشاری
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۷۰ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
مکاترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۷/۱۲/۱۳
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
آشکارسازهای نوری مبتنی بر اثر فوتوترموالکتریک مبتنی بر اثر سیبک هستند .در این آشکارسازها، جذب نور باعث ایجاد نقاط گرم و سرد در ساختار شده و با استفاده از یک کنتاکت بین دو فلز متفاوت یا دو نیمه‌صهادی با دوپینگ متفاوت در محل گرم، می توان یک ولتاژ بین نقاط گرم و سرد را ایجاد کرد .از مواد مختلفی برای آشکارسازی نوری مبتنی بر این اثر استفاده می شود که از آن جمله می توان به گرافن، نیمه هادی های مختلف و بیسموت تلراید و آنتیموان تلراید اشاره کرد .بیسموت تلراید و آنتیموان‌صتلراید موادی بهینه برای آشکارسازی نوری با کمک اثر فوتوترموالکتریک هستند .زیرا ظرفیت حرارتی پایینی دارند و با اعمال اندکی توان نوری، دمای آن ها تا حد قابل ملاحظه‌صای افزایش می‌صیابد .هم چنین ضریب سیبک در این دو ماده مخالف علامت هستند که آن‌صها را برای ترموالکتریک ایده ال می‌صسازند .هم چنین قسمت حقیقی گذردهی این مواد در بازه nm۵۰۰ تا nm۷۰۰ منفی است و لذا می‌صتوان در این بازه فرکانسی از اثرات پلاسمونیکی آن‌صها نیز بهره برد .در این پایان نامه یک آشکارساز فوتوترموالکتریک مبتنی بر رزونانس فانو در ساختار نوری مبتنی بر بیسموت تلراید و آنتیموان تلراید پیشنهاد شده‌صاست .آشکارساز پیشنهاد شده باند باریک بوده و طول موج آشکارسازی nm۵۶۸ است .با اعمال نوری با توان حداکثر W۲۰ و شدت تقریبیnW/m۲۵۰ ، حداکثر پاسخ‌صدهی ساختار V/W۵/۶۶ است که تقریبا بهبودی ۵۰ نسبت به نمونه های گزارش شده پیشین نشان می‌صدهد
متن يادداشت
Photo thermoelectric photodetectors are based on seebeck effect. In these detectors light absorption produces hot and cold points in structure. By contacting two different metal or two semi-conductors with different doping, in hot points it is possible to produce a voltage between hot and cold points. There is different material that support this effect like Graphene, different kind of semi-conductors and Bismuth telluride and antimony telluride. Bismuth telluride and antimony telluride are optimum materials for photo detection base on photo thermoelectric effect. Due to their low heat capacity a small fraction of power can increase their temperature considerably. Also these two material have different sign seebeck coefficient that made them proper for thermoelectric effect. Also their real part of permittivity in range of 500nm to 700nm is negative, so it is possible to use their plasmonic effect in this range. In this thesis a photo thermoelectric based photodetector that benefited from Fano resonance with Bismuth telluride and Antimony telluride based structure is proposed. It is a narrow band detector in 568nm wavelength. Appling a light with maximum power of W with an intensity of approximately 50 nW/m2, maximum responsivity of structure is 66.5V/W that is nearly 50 percent approvment against former reported structures
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
modeling and design of narrow band photodetector based on photo-thermo electric effect
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
ولیزادگان ارجمند، علی
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Valizadegan, Ali
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
